时间：2025/7/2 17:00:08
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PESDHC2FD4V5BH 是一款高性能的双向 TVS (瞬态电压抑制器) 芯片，主要用于保护电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压事件的损害。该器件采用紧凑型封装，具有超低电容和快速响应时间，适用于高速数据线和射频信号线路的保护。
该芯片属于 NXP 公司 PESD 系列，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制等领域。
工作电压：±4.3V
峰值脉冲电流：±10A
箝位电压：±7.1V
响应时间：≤1ps
电容：0.4pF
漏电流：±1μA（最大值，在25℃时）
封装形式：DFN1006-2 (0402)
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
PESDHC2FD4V5BH 的主要特点是其超低电容设计，仅为 0.4pF，这使其非常适合用于高速数据接口的保护，例如 USB 3.0、HDMI、DisplayPort 等。此外，它还具备极快的响应时间（≤1ps），可以迅速抑制瞬态电压波动，有效保护后端电路不受损害。
该器件采用了无铅 DFN1006-2 封装，体积小巧，易于集成到高密度 PCB 设计中。同时，其工作温度范围广（-55℃ 至 +150℃），能够适应各种恶劣环境条件下的应用需求。
由于其双向保护特性，PESDHC2FD4V5BH 可以在正负两个方向上提供对称的保护能力，进一步简化了设计并提高了系统的可靠性。
PESDHC2FD4V5BH 广泛应用于需要 ESD 保护的各种场景，包括但不限于以下领域：
1. 高速数据接口保护，如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、MIPI、LVDS 等。
2. 射频信号线路保护，如 WLAN、Bluetooth、ZigBee 等。
3. 工业自动化设备中的信号链保护。
4. 消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
5. 汽车电子系统中的敏感信号保护。
PESDHC2FD4V5BT, PESD2CANFD
