HM51W16165LTT-6 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高速存储器,通常用于需要快速数据访问的应用场景,如网络设备、通信设备、工业控制系统等。这款SRAM芯片采用16位数据总线架构,支持异步工作模式,适合需要低延迟和高稳定性的场合。
容量:256Kb
组织方式:16k x 16
电源电压:3.3V
访问时间:5.4ns(最大)
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
引脚数:54
最大工作频率:166MHz
数据总线宽度:16位
异步操作支持:是
自动低功耗模式:支持
HM51W16165LTT-6 是一款高性能的异步SRAM芯片,具有快速访问时间和低功耗特性。其访问时间仅为5.4ns,使得它非常适合用于高速缓存或需要快速响应的系统中。该芯片支持异步模式,允许其在不依赖固定时钟信号的情况下进行读写操作,提高了系统设计的灵活性。
该SRAM芯片的16位数据总线结构允许一次读取或写入16位数据,提高了数据传输效率。此外,其3.3V电源电压设计有助于降低功耗并提升能效,同时兼容大多数现代数字系统的电压标准。
封装方面,HM51W16165LTT-6 采用TSOP封装形式,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适用于高密度PCB布局。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在各种严苛环境中稳定运行。
另外,该芯片支持自动低功耗模式,在不进行读写操作时可自动进入低功耗状态,从而延长设备电池寿命并减少发热。
HM51W16165LTT-6 通常用于需要高速、低延迟存储器的场合,如路由器、交换机、工业控制设备、测试设备、嵌入式系统、图形加速器、网络处理器等。由于其异步SRAM特性,它也被广泛应用于需要快速响应和高数据吞吐量的实时系统中。
在通信设备中,HM51W16165LTT-6 可作为高速缓存或临时数据存储单元,以提高数据处理效率。在工业自动化设备中,它可以用于存储关键的运行参数或缓存实时采集的数据。此外,该芯片也可用于高端音频设备、视频编码器/解码器等需要快速访问内存的应用。
CY7C1615KV18-6A、IS61LV25616-10B4BLI、IDT71V416S10PFG、A61LV25616D10B4GX