容量：256Kb
　　组织方式：16k x 16
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　最大工作频率：166MHz
　　数据总线宽度：16位
　　异步操作支持：是
　　自动低功耗模式：支持

HM51W16165LTT-6 是一款高性能的异步SRAM芯片，具有快速访问时间和低功耗特性。其访问时间仅为5.4ns，使得它非常适合用于高速缓存或需要快速响应的系统中。该芯片支持异步模式，允许其在不依赖固定时钟信号的情况下进行读写操作，提高了系统设计的灵活性。
　　该SRAM芯片的16位数据总线结构允许一次读取或写入16位数据，提高了数据传输效率。此外，其3.3V电源电压设计有助于降低功耗并提升能效，同时兼容大多数现代数字系统的电压标准。
　　封装方面，HM51W16165LTT-6 采用TSOP封装形式，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在各种严苛环境中稳定运行。
　　另外，该芯片支持自动低功耗模式，在不进行读写操作时可自动进入低功耗状态，从而延长设备电池寿命并减少发热。

HM51W16165LTT-6 通常用于需要高速、低延迟存储器的场合，如路由器、交换机、工业控制设备、测试设备、嵌入式系统、图形加速器、网络处理器等。由于其异步SRAM特性，它也被广泛应用于需要快速响应和高数据吞吐量的实时系统中。
　　在通信设备中，HM51W16165LTT-6 可作为高速缓存或临时数据存储单元，以提高数据处理效率。在工业自动化设备中，它可以用于存储关键的运行参数或缓存实时采集的数据。此外，该芯片也可用于高端音频设备、视频编码器/解码器等需要快速访问内存的应用。

CY7C1615KV18-6A、IS61LV25616-10B4BLI、IDT71V416S10PFG、A61LV25616D10B4GX