时间：2025/5/8 17:35:02
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DMG1013UW 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Diodes Incorporated 公司的 DMG 系列。该器件采用超小型 DFN1012-6L 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种便携式设备中的电源管理应用。
DMG1013UW 主要设计用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景，例如负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路以及电机驱动等。
最大漏源电压(Vds)：20V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
最大漏极电流(Id)：1.4A
导通电阻(Rds(on))：50mΩ
总功耗(Ptot)：370mW
工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 150℃
封装类型：DFN1012-6L
DMG1013UW 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 小尺寸 DFN1012-6L 封装，节省 PCB 布局空间。
3. 高开关速度，适合高频操作。
4. 内置 ESD 保护功能，提升器件在实际应用中的可靠性。
5. 宽工作温度范围，能够在极端条件下保持稳定性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
DMG1013UW 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器，尤其是那些需要高效率和小体积的设计。
3. 电池保护电路，防止过流或短路损坏。
4. 小型电机驱动控制。
5. 各种消费类电子产品中的信号切换和功率调节。
DMG1014UW
DMG1015UW
DMG2305UX
