时间：2025/5/16 13:50:56
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STW50N65DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高压MOSFET，属于MDmesh DM2系列。该器件采用TO-247封装形式，广泛应用于高电压、高效率的开关电源和电机驱动场景中。这款MOSFET具有低导通电阻和高击穿电压的特点，非常适合在工业和消费类电子设备中使用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：3200pF
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃至+175℃
STW50N65DM2AG是一款高性能的高压MOSFET，其主要特点包括以下几点：
1. 高击穿电压：支持高达650V的工作电压，确保了在高压环境下的可靠性。
2. 低导通电阻：典型导通电阻仅为180mΩ，在大电流应用中可以显著降低功率损耗。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷（95nC）使其具备更快的开关速度，从而提高了整体效率。
4. 耐热设计：能够承受高温环境（最高175℃），适合苛刻的工业应用场景。
5. 可靠性高：符合严格的工业标准，具有良好的抗干扰能力和稳定性。
6. 封装形式：采用标准的TO-247封装，便于安装和散热。
STW50N65DM2AG适用于多种高压电力电子应用，例如：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC或DC-DC转换器中的主开关管。
2. 逆变器：在太阳能逆变器或UPS系统中作为功率开关。
3. 电机驱动：用于控制高电压电机的启动、停止和调速。
4. PFC电路：在功率因数校正电路中作为升压开关。
5. 工业自动化：用于各种工业控制设备中的高压切换功能。
6. 汽车电子：在车载充电器或其他高压汽车电子模块中使用。
STW50N65DM2, IRFP460, FQP50N60
