类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT223

DME3930-102 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得该器件在导通状态下具有非常低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流下可支持高达 10A 的电流，适用于需要高功率密度的设计。器件采用 SOT223 封装，具有良好的散热性能，适合在高功率应用中使用。此外，DME3930-102 的栅极驱动电压范围较宽，支持从 4.5V 到 20V 的栅极驱动电压，使其适用于多种栅极驱动器设计。该器件还具备良好的热稳定性和短路保护能力，能够在恶劣的电气环境下稳定工作。
　　在开关性能方面，DME3930-102 表现出较低的开关损耗，这主要得益于其优化的内部结构设计和低栅极电荷（Qg）特性。这使得该 MOSFET 在高频开关应用中依然保持较高的效率。此外，该器件的封装设计使得其易于安装在 PCB 上，并具备良好的机械强度和可靠性。DME3930-102 还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的保护，延长系统的使用寿命。

DME3930-102 主要用于各类电源管理系统和功率转换设备中，例如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路。在同步整流应用中，该 MOSFET 可用于替代传统的二极管整流器，以提高转换效率并减少热量产生。在 DC-DC 转换器中，DME3930-102 可作为高侧或低侧开关，用于实现高效的电压转换。由于其良好的热性能和高电流能力，该器件也非常适合用于需要频繁开关操作的电机驱动电路中。此外，DME3930-102 还适用于工业自动化设备、便携式电子设备以及汽车电子系统等对效率和可靠性要求较高的应用场景。

Si4410BDY, FDS4410A, DMN3014SSD, DMP3014SSD