时间：2025/6/10 13:21:45
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CGA3E2NP02A010C080AA 是一款由知名半导体制造商推出的高性能 N 沟道增强型 MOSFET。该型号主要用于功率管理领域，适用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。其采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低功耗并提升系统性能。
这款 MOSFET 的封装形式为行业标准的 LFPAK56D 封装，具有良好的散热特性和较高的电流承载能力。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：117A
导通电阻（Rds(on)）：0.45mΩ
栅极电荷：109nC
总电容：2240pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CGA3E2NP02A010C080AA 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在大电流应用场景下能显著减少导通损耗。
2. 高效率设计，适合于高频开关应用。
3. 强大的电流承载能力，支持高达 117A 的连续漏极电流。
4. 高温适应性，能够在 -55℃ 至 175℃ 的宽温范围内稳定运行。
5. 紧凑的 LFPAK56D 封装设计，有助于节省 PCB 布局空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
该器件广泛应用于多种工业和消费类电子产品中，主要用途包括：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
CGA3E2NP02A010C080BA
