类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-6.1A（@Vgs= -10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：27mΩ（@Vgs=-10V）
　　21mΩ（@Vgs=-7V）
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SO-8

DME3927-100具有多项优异的电气特性和设计优势，使其适用于多种高性能功率管理应用。
　　首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在Vgs=-10V时，其Rds(on)仅为27mΩ，即使在较低的栅极驱动电压（如-7V）下也能保持21mΩ的低导通电阻，确保了在不同应用条件下的高效运行。
　　其次，DME3927-100的最大漏源电压为-30V，能够承受较高的电压应力，适用于中低功率DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用场景。同时，其栅源电压容限为±20V，提供了更宽的驱动电压范围，增强了系统的稳定性和可靠性。
　　此外，该MOSFET采用了SO-8封装，具有良好的热管理和空间节省特性，适合高密度PCB布局。其2.5W的功率耗散能力确保在较高工作电流下仍能维持良好的散热性能，避免因过热导致的性能下降或损坏。
　　最后，DME3927-100的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端环境条件下保持稳定运行，适用于工业级和消费类电子设备。

DME3927-100广泛应用于多个领域，主要包括：
　　1. **电池供电设备**：如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等，用于电源管理、负载开关控制和电池保护电路；
　　2. **DC-DC转换器**：作为同步整流器或功率开关，提升转换效率，降低功耗；
　　3. **电源管理模块**：用于服务器、通信设备和工业控制系统中的电源分配和管理；
　　4. **电机驱动和继电器驱动**：适用于低电压电机控制和继电器开关应用；
　　5. **负载开关控制**：作为高边或低边开关，用于控制电源的通断，保护系统免受过载和短路的影响。

Si4435BDY, NDS351AN, AO4406A