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DMC2990UDJ-7 发布时间 时间:2025/5/28 20:05:10 查看 阅读:9

DMC2990UDJ-7 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺,专为高效率、低功耗应用设计。该芯片具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理场景,例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及电池管理系统等。
  该器件封装形式为 DFN 封装,具有良好的热性能和电气性能,能够满足严格的工业标准要求。

参数

类型:MOSFET
  封装:DFN
  漏源极电压(Vds):30V
  连续漏电流(Id):14A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):38nC
  最大工作结温:175°C
  静态电流:超低
  逻辑电平兼容:支持

特性

DMC2990UDJ-7 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗,适合高频应用场景。
  3. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  4. 支持宽范围的工作电压,确保在不同环境下的稳定性。
  5. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强可靠性。
  6. 优异的热性能,即使在高功率负载下也能保持稳定运行。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

DMC2990UDJ-7 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 各类 DC-DC 转换器设计,用于笔记本电脑、平板设备和移动电源。
  3. 电机驱动电路,适用于无刷直流电机(BLDC)控制。
  4. 汽车电子系统,包括车载充电器和 LED 驱动。
  5. 工业自动化设备中的高效电源管理单元。
  6. 可再生能源系统的逆变器和控制器组件。

替代型号

DMC2990UDEJ-7, DMC2980UDJ-7

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DMC2990UDJ-7参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C450mA,310mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C990 毫欧 @ 100mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds27.6pF @ 15V
  • 功率 - 最大350mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-963
  • 供应商设备封装SOT-963
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMC2990UDJ-7DITR