KRS119S-RTK 时间：2025/9/11 12:58:41 阅读：6

KRS119S-RTK是一款由韩国电子元件制造商生产的双极型晶体管（BJT），通常用于高频和低噪声应用。该晶体管属于NPN型晶体管，具有较高的增益带宽积和较低的噪声系数，适用于射频（RF）放大器、中频（IF）放大器以及其他高频电路设计。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率范围：100MHz
　　增益带宽积（fT）：80MHz
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

KRS119S-RTK晶体管具有优异的高频性能，适用于需要低噪声和高稳定性的电路设计。其SOT-23封装形式适合表面贴装工艺（SMT），广泛用于通信设备、射频模块和消费类电子产品中。该晶体管在高频环境下表现出良好的线性度和稳定性，能够有效降低信号失真。此外，KRS119S-RTK的低噪声特性使其在信号放大和处理应用中表现优异，特别是在低电平信号放大时能保持较高的信噪比。该晶体管还具有良好的温度稳定性，可在广泛的温度范围内保持性能一致。
　　在高频应用中，KRS119S-RTK的fT值达到80MHz，使其在100MHz频率范围内仍能保持较高的增益。这种性能特性使得该晶体管成为射频前端放大器和中频放大器的理想选择。其150mA的最大集电极电流能力也使其能够支持一定的输出功率，适用于需要中等功率放大的场景。SOT-23封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，有助于提高元件的可靠性。