时间：2025/7/8 17:34:55
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DMC25D0UVT 是一款基于 DMOS 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关应用和高效能电源转换场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力，能够显著提高系统效率并减少能量损耗。
DMC25D0UVT 通常用于消费类电子设备、工业控制以及通信领域的开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电机驱动等应用中。
型号：DMC25D0UVT
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：25V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
ID（连续漏极电流）：130A
Qg（总栅极电荷）：29nC
EAS（雪崩能量）：1.6J
封装：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
DMC25D0UVT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够有效降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关特性，具备较低的栅极电荷 Qg 和输出电荷 Qoss，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，支持高达 130A 的连续漏极电流。
4. 良好的热性能，适用于高功率密度设计。
5. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下也能可靠运行。
6. 封装形式为 TO-247，提供优异的散热性能和机械稳定性。
DMC25D0UVT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业逆变器和 UPS 系统中的关键组件。
5. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统和驱动模块。
6. 可再生能源系统的功率转换部分，如太阳能逆变器。
DMC25D0UVT-E3, DMC25D0UVT-KR
