时间：2025/5/12 13:11:36
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GA1210H224MBXAT31G 是一款高性能的存储芯片，通常用于数据存储和缓存应用。该芯片基于 NAND 闪存技术制造，采用 M.2 接口形式，支持 PCIe Gen3 协议，能够提供高速的数据传输速率和较低的延迟。其广泛应用于笔记本电脑、台式机以及嵌入式系统中，以满足对高效能存储的需求。
该型号中的 GA1210 系列代表了高密度存储设计，具有较强的耐用性和可靠性，适用于需要频繁读写操作的场景。
容量：1TB
接口：PCIe Gen3 x4
协议：NVMe 1.3
顺序读取速度：2000 MB/s
顺序写入速度：1600 MB/s
随机读取 IOPS：250,000
随机写入 IOPS：300,000
功耗（活动状态）：最大 4W
工作温度：0°C 至 70°C
封装尺寸：22mm x 80mm x 2.38mm
GA1210H224MBXAT31G 的主要特点是其卓越的性能和稳定性。它采用了先进的 TLC（Triple-Level Cell）NAND 技术，能够在保持成本效益的同时提供更高的存储密度。
此外，这款芯片内置了强大的错误校正码（ECC）引擎和磨损均衡算法，确保数据完整性并延长使用寿命。
为了提升用户体验，该芯片还支持主机内存缓冲（HMB）功能，在不配备独立 DRAM 缓存的情况下依然可以实现高效的性能表现。
同时，它具备低功耗设计，非常适合便携式设备使用。其兼容性良好，支持多种操作系统和硬件平台，便于用户部署。
GA1210H224MBXAT31G 主要应用于以下领域：
1. 笔记本电脑和超极本的主存储解决方案。
2. 游戏主机及高性能计算设备中的缓存存储。
3. 工业级嵌入式系统，如自动化控制、医疗设备和监控系统。
4. 企业级服务器和数据中心的辅助存储模块。
5. 移动工作站和其他需要快速启动和数据访问的场景。
GA1210H256MBXAT31G
GA1210H512MBXAT31G
GA1210H128MBXAT31G
