2SK949-MR 时间：2025/8/9 10:29:07 阅读：22

2SK949-MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高频率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动电路等功率电子设备中。该晶体管具有高耐压、低导通电阻以及快速开关特性，适合于需要高效能和高可靠性的应用场景。2SK949-MR采用SOT-23封装，是一种小型化且易于安装在印刷电路板上的晶体管。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为15Ω
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2SK949-MR具有优异的电气性能和稳定性，能够在高温和高湿度环境下稳定工作。其高耐压特性使得它适用于多种电源管理应用，能够承受较高的电压冲击而不会损坏。该晶体管的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，2SK949-MR的快速开关能力使其适用于高频开关电路，从而减小外部滤波器元件的尺寸并提高系统响应速度。
　　这款晶体管还具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在复杂的电磁环境中保持稳定运行。其小型SOT-23封装不仅节省空间，而且便于自动化生产和安装，适用于高密度电路设计。

应用

2SK949-MR常用于以下领域：
　　1. 电源管理：如DC-DC转换器、电池充电器和负载开关。
　　2. 电机控制：如微型电机驱动电路和继电器驱动。
　　3. 信号切换：用于模拟和数字信号的高速切换应用。
　　4. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理模块。
　　5. 工业自动化：用于传感器信号控制和小型执行机构的驱动电路。