DLR1111 是一款由 Diodes 公司生产的双极性晶体管(BJT)阵列芯片,内含两个独立的 NPN 型晶体管。该器件广泛用于需要双晶体管配置的电路中,例如放大电路、开关电路以及逻辑电平转换等应用场景。DLR1111 的封装形式通常为 SOT-26 或 SOT-23,适合在空间受限的 PCB 设计中使用。其设计具备良好的热稳定性和高频响应能力,是一款性价比高且可靠性强的通用晶体管阵列。
晶体管类型:NPN 双极型晶体管(双管阵列)
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Pd):200 mW
电流增益(hFE):110 - 800(根据等级不同)
过渡频率(fT):100 MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-26、SOT-23
DLR1111 的核心优势在于其集成双晶体管的设计,使得在需要多个 NPN 晶体管的电路中可以节省 PCB 面积并简化布局。
该器件的每个晶体管都具有独立的引脚配置,允许用户根据需要进行并联或串联操作,适用于多种拓扑结构。
其高过渡频率(fT = 100 MHz)使其适用于中高频放大电路,例如射频前端、音频放大器和脉冲调制电路。
此外,DLR1111 具有良好的热稳定性和抗静电能力,适合在工业和消费类电子产品中使用。
由于其 hFE 值范围较宽(110 - 800),用户可以根据具体应用选择不同增益等级的器件,以优化电路性能。
该器件的低功耗特性(最大功耗为 200 mW)也使其适用于便携式设备和低功耗系统中。
DLR1111 常用于各种通用电子电路中,包括信号放大、电平转换、驱动控制和逻辑电路设计。
在音频放大电路中,DLR1111 可作为前置放大器或驱动级晶体管使用,提供稳定的增益和低失真。
在数字电路中,该器件常用于驱动 LED、继电器或小型电机等负载,作为开关元件使用。
此外,DLR1111 也广泛应用于传感器接口电路中,例如将传感器信号放大或进行电平转换。
在工业自动化和嵌入式系统中,DLR1111 可用于构建缓冲器、反相器或与门等基本逻辑单元。
由于其双晶体管结构的对称性,该器件也常用于差分放大电路或推挽式输出结构中。
MMBT2907A、BC847B、2N3904、BC547B