AONS66402T 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。
该器件广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制等领域,特别是在电源管理电路中扮演重要角色。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:15A
导通电阻:1.7mΩ
栅极电荷:39nC
开关速度:快速
封装类型:TO-263-3
工作温度范围:-55℃至175℃
AONS66402T 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 1.7mΩ,能够显著降低功率损耗。
2. 高效率设计,适合高频开关应用。
3. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能。
4. 紧凑的封装形式,便于 PCB 布局和散热设计。
5. 高可靠性,符合 RoHS 标准并经过严格的质量测试。
AONS66402T 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 电池保护和负载切换。
5. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节。
6. 消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
AON66402, IRF66402, FDP068N06L