时间：2025/7/23 12:38:19
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STB140NF55是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，专为高功率应用设计。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能，适用于需要高效能功率转换的电路中，如电源管理、电机控制和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：55V
连续漏极电流（Id）：140A
导通电阻（Rds(on)）：约3.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
工作温度范围：-55°C~175°C
封装类型：TO-263（D2Pak）或类似高功率封装
STB140NF55的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率；高电流能力使其适用于大功率负载的控制；采用先进的沟槽栅技术，提供更优的开关性能和热稳定性；其封装设计具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。
此外，该MOSFET具备较强的短路耐受能力，提高了在严苛应用条件下的可靠性。器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可以在2.5V至20V之间工作，使其兼容多种驱动电路设计。STB140NF55还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关速度。
STB140NF55广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业自动化设备的电机驱动系统、电源供应器、DC-DC转换器、电池管理系统、汽车电子（如电动助力转向系统EPS、起停系统等）以及家用电器中的功率控制模块。其高可靠性和优异的性能也使其适用于新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统。
STP140NF55, IRLB4132PBF, FDP140N55, NTD140N55CTG
