DJLXT386LE.B2 时间：2025/12/26 17:48:27 阅读：8

DJLXT386LE.B2是一款由东芝（Toshiba）公司生产的低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为32K × 8位，即总存储容量为256Kbit。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有高可靠性、低功耗和高速访问的特点，适用于需要稳定数据存储和快速读写操作的嵌入式系统和便携式设备中。其工作电压范围通常为4.5V至5.5V，兼容标准的5V逻辑电平，便于与多种微控制器和处理器接口直接连接，无需额外的电平转换电路。封装形式为28引脚DIP（双列直插式封装）或SOIC（小外形集成电路封装），便于在各种PCB设计中使用。由于其非易失性特性并不具备，因此在断电后数据会丢失，需配合备用电源或与其他非易失性存储器协同使用以实现数据保护功能。该器件广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及网络设备中的缓存和临时数据存储场景。

参数

类型：CMOS SRAM
　　密度：256 Kbit (32K × 8)
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：120 ns / 150 ns（根据不同版本）
　　封装形式：28-pin DIP, 28-pin SOIC
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　待机电流：≤ 100 μA（典型值）
　　运行电流：≤ 35 mA（最大值）
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　写保护功能：无
　　组织结构：32,768 × 8 位
　　刷新要求：无需刷新（静态RAM）
　　封装尺寸：符合JEDEC标准
　　引脚间距：2.54mm（DIP），1.27mm（SOIC）

特性

DJLXT386LE.B2采用高性能CMOS工艺制造，确保了在保持高速数据存取能力的同时实现极低的功耗表现，特别适合对能耗敏感的应用环境。其访问时间典型值为120纳秒或150纳秒，能够满足大多数中高速微处理器系统的时序需求，支持无缝连接至8位或16位数据总线架构。该SRAM芯片内部结构为静态设计，无需动态刷新机制，简化了系统设计并提高了数据稳定性。所有输入端口均具备施密特触发器特性，增强了抗噪声能力，提升了信号完整性，尤其在长距离布线或电磁干扰较强的工业环境中表现出色。
　　该器件支持全地址和数据总线的三态输出控制，允许多个存储器或其他外设共享同一系统总线，通过片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）三个控制信号实现精确的操作时序管理。当进入待机模式时，仅需将片选信号置为高电平即可使芯片进入低功耗状态，显著降低系统整体功耗。此外，其输出驱动能力符合TTL电平规范，可直接驱动多个TTL负载，减少了外部缓冲电路的需求。
　　DJLXT386LE.B2具备良好的热稳定性和长期可靠性，经过严格的生产测试和老化筛选，保证在商用温度范围内（0°C至+70°C）长期稳定运行。其封装形式兼容主流自动插件和表面贴装工艺，适用于大规模自动化生产。尽管该型号已属于较早期的产品系列，但在一些 legacy 工业设备、医疗仪器和通信模块中仍被广泛使用，且有充足的供货渠道和替代方案支持其持续应用。

应用

DJLXT386LE.B2常用于各类需要高速、可靠、低功耗静态存储器的电子系统中。典型应用场景包括嵌入式控制器中的数据缓存区、打印机和传真机的页面缓冲存储、工业PLC的数据暂存单元、POS终端的信息队列管理以及网络交换设备中的帧缓冲。由于其接口简单、时序清晰，也常被用于教学实验平台和开发板中，作为学生理解SRAM工作原理和总线操作的教学工具。
　　在通信领域，该芯片可用于电话交换系统、调制解调器和路由器中，用于临时保存呼叫记录、配置信息或协议处理过程中的中间数据。在消费类电子产品如音响设备、电视遥控器学习型功能模块中，也可用作用户自定义指令的临时存储空间。此外，在一些需要快速响应的测量仪器中，例如数字示波器或多通道数据采集系统，DJLXT386LE.B2可用于采集过程中原始数据的高速暂存，以便主控单元后续进行分析处理。
　　由于其非易失性不足，通常与EEPROM或Flash存储器配合使用，前者负责程序和配置的长期保存，后者则承担实时数据的快速读写任务。同时，配合超级电容或锂电池供电，可在主电源断开时维持SRAM内容不丢失，构成一种“伪非易失性”存储解决方案，广泛应用于金融终端、智能电表等对数据完整性要求较高的场合。