时间：2025/8/6 1:08:56
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IXTH20N55是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET晶体管，适用于高功率、高频率的开关应用。这款MOSFET采用TO-247封装，具有良好的热性能和高电流处理能力，广泛用于电源转换器、电机驱动和工业自动化系统中。IXTH20N55的设计使其能够在高电压和高电流条件下保持稳定运行。
类型: N沟道MOSFET
漏极电流(Id): 20A
漏源电压(Vds): 550V
栅源电压(Vgs): ±20V
导通电阻(Rds(on)): 最大值0.25Ω
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装类型: TO-247
功率耗散(Pd): 200W
IXTH20N55具有低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高效率。该器件的高耐压能力使其适用于高电压应用，如开关电源和电机控制。此外，IXTH20N55的TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下的稳定运行。该MOSFET还具有快速开关速度，适用于高频操作环境，减少了开关损耗。其坚固的设计和宽工作温度范围也使其适用于工业级应用，能够在恶劣环境中可靠工作。
在可靠性方面，IXTH20N55具备良好的短路耐受能力和过热保护特性，能够在异常条件下保持稳定，避免器件损坏。同时，该MOSFET的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计，并降低了驱动损耗。
IXTH20N55常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动控制器以及工业自动化设备中的高功率开关电路。此外，它也适用于照明控制系统、电池充电器和不间断电源(UPS)等应用领域。
IXTH20N55B, IXFP20N55A, IXFH20N55
