您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DIO1466

DIO1466 发布时间 时间:2025/8/25 2:58:53 查看 阅读:12

DIO1466 是一款由Diodes Incorporated(美台半导体)推出的高效能、低电压、双N沟道增强型MOSFET器件,广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中。该器件采用先进的Trench MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,能够在低电压条件下提供高效的功率转换性能。DIO1466 通常采用SOT26或SOT363等小型封装形式,适合空间受限的便携式电子产品。

参数

类型:双N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):500mA(每个通道)
  最大漏源电压(VDS):20V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  导通电阻(Rds(on)):0.85Ω(典型值,VGS=4.5V)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT26、SOT363

特性

DIO1466 的主要特性包括其低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。其双通道结构允许独立控制两个负载,非常适合用于多个电源路径管理或独立开关控制的应用场景。
  该器件支持低电压驱动,栅极驱动电压可低至2.5V,使其兼容多种低压逻辑控制器(如FPGA、DSP或MCU)。此外,DIO1466 具有良好的热稳定性和高可靠性,适用于工业级温度范围,确保在各种工作环境下稳定运行。
  采用小型封装形式(如SOT26),DIO1466 可有效节省PCB空间,适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子设备的电源开关和负载管理。其高集成度和低功耗特性也使其成为理想的替代机械开关或双极型晶体管的解决方案。
  此外,DIO1466 还具备快速开关能力,减少开关过程中的能量损耗,提高系统响应速度。同时,该器件内部具备静电放电(ESD)保护功能,增强其在复杂电磁环境中的抗干扰能力。

应用

DIO1466 广泛应用于各种低电压、高效率的电子系统中,如移动电话、便携式媒体播放器、数码相机、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源开关控制。
  在电源管理系统中,DIO1466 可用于电池供电设备的负载切换、DC-DC转换器的同步整流、LED背光驱动电路等场景。
  此外,该器件也常用于工业控制设备、传感器模块、无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙模块)的电源管理与隔离控制。
  由于其低导通电阻和快速响应特性,DIO1466 也可用于电机驱动、继电器替代和智能电源分配系统中。

替代型号

DIO1466 可以被以下型号替代:DIO1467、DMG3415L、FDMS86181、AO4406、Si2302DS

DIO1466推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价