类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：900V
　　漏极-源极导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.85Ω（最大值1.1Ω）
　　连续漏极电流（Id）：9A（在25°C时）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

FMH09N90GHF 具有以下主要特性：
　　首先，该MOSFET具备较高的耐压能力（900V），适用于高压应用场合，如开关电源和工业控制系统。其低导通电阻特性（Rds(on)典型值为0.85Ω）有助于降低导通损耗，从而提高整体系统的效率。
　　其次，该器件采用TO-220F封装，具有良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。此外，该封装形式也便于安装和散热器的集成。
　　FMH09N90GHF 还具备较强的抗雪崩能力和高可靠性，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，适用于严苛的工作环境。
　　另外，该MOSFET的开关特性较为优异，具有较快的上升和下降时间，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。其±30V的栅极-源极电压容限也提高了在复杂驱动环境下的稳定性。
　　综上所述，FMH09N90GHF 是一款性能优异、可靠性高的高压MOSFET，适用于多种工业与电源管理应用。

FMH09N90GHF 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS）：由于其高耐压和低导通电阻特性，适用于AC-DC和DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
　　2. 马达驱动系统：可用于电机控制电路中的功率开关，实现高效、稳定的电机运行。
　　3. 功率因数校正（PFC）电路：在PFC升压电路中作为主开关器件，提高电源系统的功率因数并降低谐波失真。
　　4. 工业自动化设备：适用于工业控制、变频器和不间断电源（UPS）等设备中的功率管理模块。
　　5. LED照明驱动器：用于高功率LED照明系统的恒流或恒压驱动电路中。
　　6. 新能源领域：如太阳能逆变器和电动车充电模块等高压、高效率转换系统。

TK9A50K3C, SPW95N90C3, FCH070N60F, FQA9N90C