型号：CY7C1568KV18-450BZXC
　　制造商：Infineon Technologies (原Cypress Semiconductor)
　　产品系列：QDR II+ SRAM
　　存储容量：256K x 18
　　总位数：4,608,000 bit
　　供电电压：1.8V ±5%
　　工作频率：最高450 MHz
　　访问时间：约2.2 ns
　　接口类型：HSTL (High-Speed Transceiver Logic)
　　数据速率：900 Mbps（双倍数据速率）
　　端口类型：双端口（独立读/写端口）
　　时钟类型：差分时钟输入（CLK, /CLK）
　　封装形式：165-ball Fine-Pitch BGA (13x15 mm)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　引脚数量：165
　　安装方式：表面贴装（SMD/SMT）
　　每字节奇偶校验：支持可选奇偶校验功能

CY7C1568KV18-450BZXC具备多项先进特性，使其成为高速存储应用的理想选择。首先，其QDR II+架构支持真正的双端口操作，允许在同一时钟周期内执行一次读取和一次写入操作，极大提升了数据吞吐能力。这种异步读写机制特别适用于需要高并发处理的数据路径，如网络处理器与FPGA之间的数据交换。其次，该芯片采用双倍数据速率技术，在时钟上升沿和下降沿均可传输数据，实现了高达900 Mbps的数据速率，显著提高了带宽利用率。其内部设计优化了信号完整性，结合HSTL接口标准，能够有效减少电磁干扰并增强抗噪能力，确保在高频运行下的稳定性。
　　该器件支持全同步操作，所有输入均以系统时钟为基准锁存，输出则与时钟同步对齐，简化了系统时序控制。此外，CY7C1568KV18-450BZXC集成了可编程延迟链和片上终端电阻（ODT），有助于匹配传输线阻抗，减少反射，提高信号质量。电源管理方面，芯片提供多种低功耗模式，包括睡眠模式和深度掉电模式，可在空闲时段大幅降低功耗，适应绿色节能设计趋势。
　　为了提升系统的可靠性，CY7C1568KV18-450BZXC还支持可选的奇偶校验功能，用于检测数据传输过程中的单比特错误，增强数据完整性。其165球BGA封装具有优良的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。整个器件经过严格的测试和验证，符合工业级和电信级应用标准，具备高MTBF（平均无故障时间），保障长期运行的可靠性。此外，该芯片兼容JEDEC标准QDR II+协议，便于与其他厂商器件互换或升级设计。

CY7C1568KV18-450BZXC主要应用于对带宽和延迟要求极高的通信和网络基础设施领域。典型应用场景包括核心路由器、多层交换机、光传输设备和无线基站中的数据包缓冲与队列管理。在这些系统中，该SRAM常被用作网络处理器或ASIC的外部高速缓存，用于临时存储转发数据帧，确保线速处理不丢包。此外，它也广泛用于测试与测量设备，如高速逻辑分析仪和协议测试仪，作为采样数据的临时存储单元，保证实时捕获与回放能力。
　　在军事与航空航天电子系统中，由于其高可靠性和宽温工作能力，该芯片可用于雷达信号处理、卫星通信终端等关键任务平台。在高端嵌入式系统和数字信号处理（DSP）架构中，CY7C1568KV18-450BZXC可作为协处理器间共享内存使用，实现多核间的高效数据交换。此外，随着5G基站和边缘计算设备的发展，该类高速SRAM在波束成形控制、前传接口缓冲等方面也展现出重要价值。其低延迟特性和确定性访问时间，使得其非常适合硬实时系统应用。由于支持工业级温度范围，该器件同样适用于恶劣环境下的工业自动化控制器、高端PLC和机器视觉系统中的图像帧缓存模块。

CY7C1568KV18-450BZI
　　CY7C1568KV18-450BZXCT
　　IS61QFW102418BLL-450MLI