时间：2025/9/7 14:43:28
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DHM3G80 是一款广泛应用于工业控制、电力电子设备和自动化系统中的功率MOSFET模块。该模块采用先进的半导体技术，具备高效率、高可靠性和低导通损耗等特点。其封装设计适用于高功率密度应用，并具备良好的散热性能，适合在恶劣环境下工作。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电压（VDS）：800V
最大漏极电流（ID）：3A
导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
引脚数量：3
DHM3G80 模块采用了高耐压的硅基MOSFET芯片，具有出色的电气性能和热稳定性。其低导通电阻确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
该模块的封装设计考虑了良好的散热路径，有助于将热量迅速传导出去，防止过热导致的性能下降或损坏。此外，DHM3G80 还具备较高的短路耐受能力，使其在高应力工作条件下依然能够保持稳定运行。
这款功率MOSFET模块还具有快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及各种工业控制电路。其高可靠性和长寿命也使其成为工业和汽车电子应用中的理想选择。
DHM3G80 常用于开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、电焊设备、工业自动化控制和LED照明驱动等高功率电子系统中。其高耐压和良好的热管理能力使其在这些应用中表现出色。
IXFH3N80C3、STF3N80K5、FQP3N80C、IRFBC30
