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URB2424YMD-40WR3 发布时间 时间:2025/12/24 9:19:26 查看 阅读:36

URB2424YMD-40WR3 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高电流处理能力,能够在严苛的工作环境下保持稳定性能。
  该型号属于功率 MOSFET 类别,其设计注重效率和散热性能,适合需要高效能转换的应用场景。

参数

型号:URB2424YMD-40WR3
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压 (Vds):40 V
  最大栅源电压 (Vgs):±20 V
  连续漏极电流 (Id):60 A
  导通电阻 (Rds(on)):2.4 mΩ
  总功耗:150 W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

URB2424YMD-40WR3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(2.4 mΩ 典型值),可显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力(高达 60 A),适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,支持高频操作,有助于减小磁性元件尺寸。
  4. 强大的热性能设计,确保在高负载条件下的稳定性。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),使其适用于工业和汽车级应用。
  6. 内置保护机制(如过温保护和短路保护),增强了器件的可靠性。

应用

该 MOSFET 器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS),例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动车辆 (EV) 和混合动力车辆 (HEV) 中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的逆变器和伺服驱动。
  4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  5. 高效电感负载切换,如 LED 驱动和电磁阀控制。
  由于其出色的性能,URB2424YMD-40WR3 在需要高效能量传输和高可靠性的应用中表现优异。

替代型号

以下是与 URB2424YMD-40WR3 性能接近或可作为替代的一些型号:
  1. IRFZ44N - 经典 N-Channel MOSFET,适用于较低电流需求。
  2. FDP5500 - 导通电阻更低的现代 MOSFET,适合更高效率要求。
  3. STP55NF06 - STMicroelectronics 提供的类似规格产品,性价比高。
  4. IXFN29N4L2 - IXYS 公司的高性能 MOSFET,具备更优的动态特性。
  选择替代型号时,请根据具体电路需求仔细核对参数匹配情况。

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URB2424YMD-40WR3参数

  • 现有数量8现货
  • 价格1 : ¥252.73000管件
  • 系列URB_YMD-40WR3 (40W)
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 类型隔离模块
  • 输出数1
  • 电压 - 输入(最小值)9V
  • 电压 - 输入(最大值)36V
  • 电压 - 输出 124V
  • 电压 - 输出 2-
  • 电压 - 输出 3-
  • 电压 - 输出 4-
  • 电流 - 输出(最大值)1.667A
  • 功率 (W)40 W
  • 电压 - 隔离1.5 kV
  • 应用ITE(商业)
  • 特性可调输出
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(有降额)
  • 效率90.1%
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳6-DIP 模块
  • 大小 / 尺寸1.00" 长 x 1.00" 宽 x 0.46" 高(25.4mm x 25.4mm x 11.7mm)
  • 供应商器件封装-
  • 控制特性-
  • 认证机构-
  • 标准编号62368-1