时间：2025/8/5 13:54:18
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DHG40B1200LB-TUB 是一款由Diodes Incorporated生产的高效能、高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。这款MOSFET设计用于在高电压和高电流条件下提供优异的性能，适用于电源转换、马达控制和工业自动化等多种应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1200V
最大漏极电流（Id）：40A
最大功耗（Ptot）：300W
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.16Ω
栅极电荷（Qg）：180nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
DHG40B1200LB-TUB具有多种特性，使其适用于高功率应用。首先，其高漏源电压额定值（1200V）使其能够在高电压条件下可靠工作。其次，低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的高漏极电流容量（40A）使其能够处理高电流负载。其高功率耗散能力（300W）确保了在高功率条件下仍能保持稳定运行。该器件还具有快速开关速度，适合用于高频开关应用。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的能效。最后，该器件采用TO-247封装，提供良好的散热性能，确保在高功率条件下的长期可靠性。
该器件的工作温度范围从-55°C到+150°C，适合在极端环境下使用。同时，其热阻较低，有助于快速散热，防止器件因过热而损坏。这些特性使得DHG40B1200LB-TUB成为高性能功率电子设备的理想选择。
DHG40B1200LB-TUB广泛应用于各种高功率电子设备中。其主要应用包括电源供应器、DC-DC转换器、AC-DC整流器、马达驱动器、工业自动化系统以及可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电系统）。此外，该器件还可用于电动汽车的电力管理系统、充电设备以及工业电机控制设备。由于其优异的性能和可靠性，DHG40B1200LB-TUB也可用于需要高效率和高稳定性的高端消费电子产品。
STW40NB120FD-6, IXFN40N120, FGP40N120
