74270112 时间：2025/8/23 22:25:46 阅读：17

74270112 是一个由 Nexperia 生产的双路 N 沟道增强型 MOSFET，主要用于高频率开关和功率管理应用。该器件采用先进的 Trench 工艺技术，具备低导通电阻和优异的热性能，适用于多种电源管理场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大11A
　　漏源电压（VDS）：最大30V
　　栅源电压（VGS）：最大±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大20mΩ（在VGS=10V）
　　封装：TSSOP
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

74270112 MOSFET 具有多个显著特性，首先是其低导通电阻，使得在高电流应用中功耗更低，效率更高。在 10V 的栅极电压下，RDS(on) 最大仅为 20mΩ，这在功率转换应用中非常关键，能够有效降低能量损耗并减少发热。
　　其次，该器件采用 TSSOP 封装，这种封装形式具有良好的热性能和空间效率，适合高密度 PCB 设计。此外，其双路 MOSFET 结构使得它非常适合用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关等应用，尤其是在需要高效能和紧凑布局的场合。
　　74270112 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 到 20V 之间工作，这意味着它可以兼容多种驱动电路，包括常见的 5V 和 12V 电源系统。同时，其最大漏极电流可达 11A，支持较高的功率处理能力，适用于中等功率的电源开关和控制电路。
　　该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，使其适用于工业级和汽车电子等要求较高的应用场景。

应用

74270112 主要用于各类电源管理系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达控制器和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，它特别适用于需要高效能和高可靠性的场合，如笔记本电脑电源管理、工业控制设备、LED 照明驱动电路以及汽车电子系统中的功率开关。
　　此外，该 MOSFET 还可用于电机驱动电路中，作为高侧或低侧开关，控制电机的启停和方向。在 UPS（不间断电源）系统中，它也可作为功率开关元件，实现快速切换和高效能转换。对于便携式设备，其低功耗特性有助于延长电池续航时间，因此也广泛应用于移动电源、智能穿戴设备等产品中。