DHE1M 时间：2025/4/28 14:35:53 阅读：2

DHE1M是一种高性能的霍尔效应传感器芯片，广泛应用于需要非接触式位置检测、速度测量以及电流感应的场景。该芯片基于先进的CMOS工艺制造，能够提供高灵敏度和稳定性的磁感应输出。DHE1M集成了信号放大器、施密特触发器以及推挽输出驱动电路，使其具备快速响应能力和低功耗特性。
　　DHE1M采用小型化的封装形式，适合在紧凑型设计中使用，并且能够在较宽的工作电压范围内运行。其独特的温度补偿功能确保了芯片在不同环境下的性能一致性。

参数

工作电压：3.0V~5.5V
　　静态电流：2mA
　　输出类型：数字开关输出
　　工作温度范围：-40℃~150℃
　　磁灵敏度：30Gauss
　　封装形式：SOT-23
　　响应时间：1μs

特性

DHE1M具有以下主要特性：
　　1. 高灵敏度的霍尔效应元件，能够检测微弱磁场变化。
　　2. 内置温度补偿电路，保证在宽温范围内的稳定性。
　　3. 数字开关输出，支持直接与微控制器或其他逻辑电路连接。
　　4. 超低功耗设计，非常适合电池供电设备。
　　5. 小型化SOT-23封装，便于集成到空间受限的应用中。
　　6. 支持工业级工作温度范围，适用于恶劣环境中的应用。
　　7. 快速响应时间，适合实时监测需求。

应用

DHE1M适用于以下应用场景：
　　1. 无刷直流电机（BLDC）的换向控制。
　　2. 汽车电子系统中的位置传感器和转速计数器。
　　3. 家用电器的速度监测和控制。
　　4. 工业自动化设备的位置反馈和状态监控。
　　5. 智能仪表中的非接触式开关。
　　6. 消费类电子产品中的接近检测和开关功能。
　　7. 医疗设备中的流量计和液位检测。