DD171N16K 时间：2025/7/14 16:05:55 阅读：8

DD171N16K 是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛用于高功率应用领域。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，适用于需要高效能与高可靠性的工业设备。

参数

类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1600V
　　最大集电极电流（IC）：170A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　短路耐受能力：典型值为10μs
　　封装形式：双列直插式（Dual-in-line）
　　绝缘等级：符合UL标准，隔离电压达2500Vrms

特性

DD171N16K具备优异的热性能，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其内部结构采用了先进的沟道技术，提升了开关速度并降低了开关损耗，同时保持了较低的导通压降，从而提高了整体效率。
　　此外，该模块内置有反向二极管，能够有效保护电路免受反向电压损害。模块还具有良好的短路保护能力，可在突发短路情况下提供一定的安全裕度，防止器件损坏。
　　为了提高系统的可靠性，DD171N16K采用了坚固的封装设计，具备较强的抗震能力和长期稳定性。其材料符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品制造使用。
　　在驱动方面，该IGBT模块对驱动电路的要求较为宽松，便于设计者实现高效的驱动控制，同时也降低了外围电路的复杂性。

应用

DD171N16K常用于各种高功率电力电子系统中，如交流变频器、伺服驱动器、可再生能源逆变器（如太阳能逆变器）、轨道交通牵引系统以及工业电机控制等领域。由于其高耐压和大电流承载能力，特别适用于需要频繁开关操作且对效率要求较高的场合。例如，在电动汽车充电系统中，DD171N16K可用于DC/AC转换部分，实现高效的能量传输；在风力发电系统中，它可用于将发电机产生的电能转换为电网兼容的交流电输出。