时间：2025/6/21 15:20:54
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CKC21C563FCGAC7800 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该芯片具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该器件采用先进的制造工艺，具备出色的热性能和电气特性，适用于各种工业和消费类电子设备。
类型：功率MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压Vds：650V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：16A
导通电阻Rds(on)：0.45Ω
总功耗Ptot：140W
工作温度范围Tj：-55℃ to +150℃
存储温度范围Tstg：-65℃ to +175℃
CKC21C563FCGAC7800 具有以下显著特性：
1. 低导通电阻设计，可有效减少传导损耗，提升整体效率。
2. 高击穿电压（650V），能够在高压环境下稳定运行。
3. 快速开关速度，适合高频开关应用。
4. 优秀的热稳定性，确保在极端温度条件下仍能保持可靠性能。
5. 内置保护机制，如过流保护和短路保护，增强了系统的安全性。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
CKC21C563FCGAC7800 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件，用于控制电机的启停及速度调节。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载切换开关。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 消费类电子产品中的电源适配器和充电器。
6. LED照明驱动器中的功率调节组件。
IRF540N
STP16NF55
FDP16N65
IXTH16N65T2
