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DC1R019WDAR200 发布时间 时间:2025/8/1 2:22:28 查看 阅读:25

DC1R019WDAR200 是由 STMicroelectronics 生产的一款高压、高侧栅极驱动器 IC,适用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT 等高频功率开关器件。该器件集成了高压栅极驱动电路和电平转换功能,能够提供高达 600V 的隔离电压,适用于诸如电源转换、马达控制、逆变器等应用。DC1R019WDAR200 采用紧凑型 SO-16 封装,具有良好的热性能和可靠性。

参数

工作电压:15V至20V
  输出电流:最高可达1.2A(峰值)
  最大输入电压:20V
  最大输出电压:600V
  传播延迟:典型值小于100ns
  上升时间:典型值为20ns
  下降时间:典型值为15ns
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:SO-16

特性

DC1R019WDAR200 具备多项关键特性,使其适用于高要求的功率电子应用。
  首先,该 IC 支持高达 600V 的高侧电压,适用于高电压功率转换系统,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 升降压转换器、马达驱动器等。其高侧驱动器采用浮动结构设计,无需外部隔离变压器,简化了电路布局并降低了系统成本。
  其次,DC1R019WDAR200 具有快速的响应能力,其传播延迟小于 100ns,上升和下降时间分别为 20ns 和 15ns,这使得功率开关器件能够在高频下工作,从而提高系统效率并减小无源元件的尺寸。
  此外,该器件的输入信号兼容 TTL 和 CMOS 电平,允许直接与微控制器或 PWM 控制器接口,增强了系统的灵活性和兼容性。IC 内部还集成了欠压保护(UVLO)功能,在电源电压低于设定阈值时会自动关闭输出,以防止功率器件在非理想条件下工作,提高系统的稳定性和可靠性。
  最后,DC1R019WDAR200 采用 SO-16 封装,具有良好的散热性能,适合在高温环境下运行,广泛适用于工业控制、消费类电子和汽车电子等领域。

应用

DC1R019WDAR200 主要应用于需要高压、高频开关控制的场合,例如:
  ? 高频 DC-DC 转换器和 AC-DC 功率因数校正(PFC)电路
  ? 马达驱动器和变频器控制系统
  ? 太阳能逆变器与储能系统
  ? 智能电网和工业自动化设备
  ? 电动车辆(EV)和混合动力汽车(HEV)中的功率转换模块
  在这些应用中,DC1R019WDAR200 可以有效驱动功率 MOSFET 或 IGBT,实现高效的能量转换和精确的开关控制。

替代型号

L6384E、IR2110、IRS2104、LM5112、NCP5101

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