时间：2025/12/26 10:07:27
阅读：8
SBR10150CTE是一款高性能的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用双共阴极配置，广泛应用于高效率电源转换系统中。该器件由两个独立的肖特基二极管组成，具有低正向压降和快速开关特性，非常适合用于高频整流、续流、反向电压保护以及DC-DC转换器等应用场合。SBR10150CTE的封装形式为TO-220AB或类似的大功率塑封结构，具备良好的热传导性能，能够有效散发工作时产生的热量，确保器件在高温环境下稳定运行。该二极管的最大重复反向电压为150V，平均整流电流可达10A，适用于工业电源、开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、电池充电系统等对效率和可靠性要求较高的电子设备中。其金属-半导体结结构避免了少数载流子存储效应，从而实现了极短的反向恢复时间，显著降低了开关损耗，提升了整体系统能效。此外，SBR10150CTE符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合现代绿色电子产品设计需求。制造商通常会在产品手册中提供详细的热阻参数、I-V曲线、瞬态热阻抗数据以及安全工作区（SOA）信息，以帮助工程师进行精确的热管理和电路设计优化。
器件类型：双共阴极肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：150V
平均整流电流（IO）：10A（每芯片）
峰值浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms单半波）
正向压降（VF）：典型值0.97V @ 10A, 25°C
最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 150V, 125°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
储存温度范围（TS）：-65°C 至 +175°C
热阻结至外壳（RθJC）：约1.5°C/W
封装类型：TO-220AB
SBR10150CTE的核心优势在于其卓越的电学性能与热稳定性，使其成为中高压大电流应用中的理想选择。首先，该器件采用了先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体接触形成整流结，避免了传统PN结中存在的少数载流子注入与复合过程，因此不存在反向恢复电荷问题，表现出近乎零的反向恢复时间（trr）。这一特性极大地减少了在高频开关条件下因二极管反向恢复引起的能量损耗和电磁干扰（EMI），有助于提升电源系统的整体效率并简化滤波设计。
其次，SBR10150CTE具有非常低的正向导通压降，在10A的工作电流下，典型VF仅为0.97V左右，相较于传统的快恢复二极管可显著降低导通损耗。这对于高负载持续运行的应用如服务器电源、通信电源模块尤为重要，有助于减少温升，提高系统长期运行的可靠性和寿命。
再者，该器件具备优异的热性能。其TO-220AB封装设计提供了良好的机械强度和热传导路径，配合散热片使用时可有效将芯片热量传递到外部环境。热阻RθJC约为1.5°C/W，意味着每瓦功耗仅使结温升高1.5度，有利于维持安全的工作温度范围。同时，器件支持高达+175°C的最大结温，能够在恶劣的高温环境中稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场景。
此外，SBR10150CTE内部集成两个独立的10A肖特基芯片共阴极连接，既节省了PCB空间又简化了布线复杂度，特别适合同步整流拓扑之外的低成本高效设计方案。其宽泛的反向电压等级（150V）也兼容常见的48V/60V母线系统，可用于光伏微逆变器、LED驱动电源和电动工具电池管理系统中。
SBR10150CTE主要应用于需要高效能、低损耗整流功能的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在单端正激、推挽或全桥拓扑结构中作为次级侧整流二极管使用；在DC-DC升压或降压转换器中承担续流（freewheeling）功能，防止电感电流突变造成的电压尖峰；也可用于电池充放电管理系统中实现防反接和能量回馈控制。
由于其150V耐压等级适配于中等电压平台，该器件广泛用于电信电源系统（如48V转12V转换器）、工业自动化设备电源模块、UPS不间断电源、太阳能微型逆变器以及电动汽车车载充电机（OBC）辅助电源单元。在这些应用中，SBR10150CTE凭借其低VF和无反向恢复特性，能够显著降低系统功耗，提升能源利用率，并有助于满足日益严格的能效标准（如80 PLUS认证）。
此外，它还常被用于电机驱动电路中的续流保护，防止感性负载断开时产生的反电动势损坏主开关器件（如MOSFET或IGBT）。其高浪涌电流承受能力（150A）使其在面对突发短路或启动冲击电流时仍能保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。对于需要紧凑设计且注重散热性能的高密度电源产品而言，SBR10150CTE是一个兼具性价比与可靠性的优选方案。
SB10150CT
MBR10150CT
STPS10150CT
VS10150CT
