PJP2NA90 时间：2025/8/14 22:41:13 阅读：2

PJP2NA90 是一款由 STMicroelectronics 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理应用。该器件设计用于在高电流和高电压条件下提供优异的性能，具有低导通电阻、高可靠性和耐用性。PJP2NA90 封装在 TO-220 或 D2PAK 等标准功率封装中，便于安装和散热。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-90V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-6.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：150mΩ @ Vgs = -10V
　　功率耗散（Ptot）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK

特性

PJP2NA90 MOSFET 具有多个关键特性，适用于多种功率管理场景。其最大漏源电压为 -90V，能够承受较高的电压应力，适合用于中高功率 DC-DC 转换器和负载开关应用。器件的导通电阻较低，在 -10V 栅极电压下仅为 150mΩ，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
　　此外，PJP2NA90 的连续漏极电流额定值为 -6.3A，能够支持较高的负载电流需求。其最大功率耗散能力为 40W，配合合适的散热片使用可进一步提高热稳定性。该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，与常见的驱动电路兼容，便于设计和集成。
　　在可靠性方面，PJP2NA90 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应于严苛的工作环境。其封装形式（如 TO-220 或 D2PAK）提供良好的散热性能，有助于确保在高负载条件下仍能稳定运行。因此，该 MOSFET 常用于工业控制、电源适配器、电池管理系统和汽车电子等应用领域。

应用

PJP2NA90 主要应用于需要高效率、高可靠性的功率管理系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池充电和管理系统、电机控制以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其高耐压能力和低导通电阻，它也非常适合用于反向电压保护电路和高侧开关设计。
　　在汽车电子系统中，PJP2NA90 可用于车身控制模块、车载充电器以及辅助电源系统。其坚固的设计和优良的热性能使其在高温环境中也能保持稳定工作，满足汽车和工业应用对可靠性的严格要求。