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DBTC-10-13+ 发布时间 时间:2025/12/28 12:02:28 查看 阅读:12

DBTC-10-13+ 是一款由 Marki Microwave 公司生产的宽带双平衡无源混频器,广泛应用于射频和微波通信系统中。该混频器设计用于在 2 GHz 至 18 GHz 的射频(RF)频率范围内工作,本振(LO)频率范围为 2 GHz 至 14 GHz,中频(IF)输出范围可达 DC 至 4 GHz,具备优异的端口间隔离度和较低的转换损耗。DBTC-10-13+ 采用紧凑的表面贴装封装,适合集成于高密度射频电路板中,尤其适用于测试测量设备、军用通信系统、雷达前端以及宽带接收机等高性能应用场景。作为一款无源混频器,它不包含有源放大元件,因此具有良好的线性度和动态范围,同时对输入信号电平要求较高,通常需要较强的本振驱动功率以实现最佳性能。其内部采用成熟的硅二极管环形混频结构,确保了宽频带内稳定的电气性能,并通过优化的传输线匹配设计,实现了良好的端口驻波比和阻抗匹配特性。此外,该器件具有出色的互调抑制能力,适合处理复杂调制信号和多载波环境下的频率转换任务。

参数

制造商:Marki Microwave
  产品类型:无源双平衡混频器
  射频频率范围:2 GHz ~ 18 GHz
  本振频率范围:2 GHz ~ 14 GHz
  中频频率范围:DC ~ 4 GHz
  典型转换损耗:7.5 dB
  本振驱动功率:+13 dBm
  RF至LO隔离度:典型值 30 dB
  RF至IF隔离度:典型值 25 dB
  LO至IF隔离度:典型值 20 dB
  输入P1dB:+10 dBm
  三阶交调点(IIP3):+25 dBm
  阻抗:50 欧姆
  封装类型:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-55°C ~ +85°C

特性

DBTC-10-13+ 混频器的核心优势在于其超宽的工作频率覆盖能力,能够在从2 GHz到18 GHz的射频输入范围内保持一致且稳定的性能表现,这使得它非常适合用于宽带接收系统和可重构射频前端设计。其双平衡拓扑结构不仅提供了良好的端口间隔离,有效减少本振泄漏至射频和中频通路的干扰,还显著提升了器件对偶次谐波的抑制能力,从而改善整体信号链的动态范围和信噪比。该混频器采用高质量的薄膜陶瓷基板与精密光刻工艺制造,保证了高频下良好的相位平衡和幅度一致性,这对于高阶调制解调系统尤为重要。由于是无源设计,DBTC-10-13+ 不引入额外噪声,也不需要外部供电,简化了电源设计并提高了系统的可靠性,特别适合部署在空间受限或功耗敏感的应用场景。
  该器件要求本振输入功率为+13 dBm,属于典型的高驱动需求,这意味着在实际应用中通常需要搭配一个本振缓冲放大器来满足驱动条件,但相应的可以获得更低的转换损耗和更高的线性度。其高达+25 dBm的输入三阶截距点(IIP3)表明其在强信号环境下仍能保持良好的线性性能,能够有效处理高功率或多载波信号而不产生严重失真。此外,DC至4 GHz的宽中频带宽支持直接变频架构和低中频采样系统,便于与高速ADC或基带处理器连接。其表面贴装封装形式符合现代高频PCB组装工艺要求,配合推荐的接地共面波导(GCPW)布局可实现最佳射频性能。总体而言,DBTC-10-13+ 在宽带性、线性度、隔离度和稳定性方面达到了高端混频器的标准,是复杂微波系统中的关键组件之一。

应用

DBTC-10-13+ 被广泛应用于需要宽频带频率转换的高性能射频系统中。在测试与测量领域,它常见于频谱分析仪、信号分析仪和矢量网络分析仪的前端下变频模块,利用其宽频响应能力实现跨多个倍频程的信号捕获与处理。在军事和航空航天电子系统中,该混频器用于电子战(EW)接收机、雷达告警系统和宽带情报侦测平台,凭借其高线性度和强抗干扰能力,在复杂电磁环境中可靠地执行信号截获和识别任务。在卫星通信和地面微波通信系统中,DBTC-10-13+ 可作为上变频或下变频单元的核心部件,支持QPSK、16-QAM乃至更高阶调制格式的信号转换,保障数据链路的高吞吐量和低误码率。此外,在科研类毫米波实验平台、太赫兹系统前端以及宽带软件定义无线电(SDR)架构中,该器件也因其频率灵活性和稳定性能而被广泛采用。其无需供电的特性使其适用于远程传感节点或空间受限的嵌入式系统,进一步拓展了其应用边界。

替代型号

MM1-0626HSC+
  MXI-0218H-LP+
  ZAD-8H+

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DBTC-10-13+参数

  • 现有数量3,246现货
  • 价格1 : ¥175.86000剪切带(CT)2,000 : ¥18.40442卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 耦合器类型标准
  • 频率5MHz ~ 1GHz
  • 耦合系数10.3 ± 0.5dB
  • 应用手机
  • 插损-
  • 功率 - 最大值1W
  • 隔离-
  • 回波损耗29.42dB
  • 封装/外壳5-SMD 模块
  • 供应商器件封装-