时间：2025/5/24 14:14:28
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SUM110N04-03L 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET 芯片。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于各类电源管理场景中。其设计优化了效率与散热性能，在高频开关应用中表现出色。
这种 MOSFET 主要用于需要高效能和低损耗的场合，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等电力电子设备中。
型号：SUM110N04-03L
VDS（漏源极击穿电压）：40V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.1mΩ
IDS（连续漏极电流）：110A
Qg（栅极电荷）：25nC
EAS（雪崩能量）：1.6J
fSW（最大开关频率）：1MHz
封装形式：裸芯片
SUM110N04-03L 的主要特点是其具备超低导通电阻，这显著降低了导通损耗，从而提升了整体系统效率。同时，它拥有快速的开关速度和较低的栅极电荷，适合高频操作环境。此外，该产品还具备良好的雪崩能力和热稳定性，能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。
该芯片通过优化单元结构设计，进一步减少了寄生电感和电容的影响，使得动态性能更加优越。在实际使用中，SUM110N04-03L 的这些特点使其成为高性能电源转换和电机驱动应用的理想选择。
SUM110N04-03L 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域。典型的应用包括但不限于：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 开关模式电源 (SMPS)
3. 工业电机驱动
4. 电动汽车中的电池管理系统
5. 太阳能逆变器中的功率级控制
6. 各类负载开关和保护电路
由于其卓越的电气特性和可靠性，SUM110N04-03L 在汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中都得到了广泛应用。
SUM110N04-02L
SUM110N04-04H
