PESD42VS2UTR 时间：2025/9/13 22:39:56 阅读：27

PESD42VS2UTR是一种由NXP Semiconductors制造的静电放电（ESD）保护二极管，专为在严苛环境中提供高效、可靠的电压瞬态保护而设计。该器件采用双线配置，能够同时保护两条独立的信号线路，适用于高速数据线路和敏感电子设备的保护需求。该芯片采用小型SOT23封装，适合空间受限的应用，同时提供优异的电气性能。

参数

类型：ESD保护二极管
　　通道数：2
　　工作电压：42V
　　最大钳位电压：60V
　　最大反向工作电压（VRWM）：5.5V至42V可选
　　最大反向漏电流：100nA（最大）
　　响应时间：1ns
　　封装类型：SOT23

特性

PESD42VS2UTR具备出色的ESD保护能力，可承受IEC 61000-4-2标准中定义的±30kV接触放电和±30kV空气放电。该器件采用双线保护结构，能够有效防止静电放电和瞬态电压对敏感电路的损害。其低钳位电压特性可确保在发生ESD事件时，传输到被保护器件的能量最小化，从而提高系统的可靠性和稳定性。此外，PESD42VS2UTR具有极快的响应时间（小于1ns），能够在电压瞬变发生的瞬间迅速动作，提供即时保护。该器件的低电容特性使其适用于高速信号线路，不会对信号完整性造成显著影响，适合USB、HDMI、以太网等高速接口的保护应用。SOT23封装形式不仅节省空间，还便于在PCB上布局，适用于便携式设备和高密度电子系统。

应用

PESD42VS2UTR广泛应用于各种电子设备中，用于保护敏感的电子元件免受静电放电和电压瞬变的影响。常见应用包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）、通信设备（如路由器、交换机）、工业控制系统、消费类电子产品以及汽车电子系统中的信号线路保护。由于其低电容和高速特性，特别适用于高速数据接口的ESD保护。