时间：2025/9/10 7:51:04
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EMVE250GDA102MLH0S 是由 Everspin 公司生产的一款 MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。这款存储器采用了先进的磁性隧道结（MTJ）技术，具有非易失性、高速读写、高耐久性和低功耗等优点。EMVE250GDA102MLH0S 适用于需要快速数据访问和持久数据存储的场合，例如工业控制、网络设备、嵌入式系统以及数据记录设备等。该芯片的容量为256Mb，采用高性能的SPI接口进行数据通信。
容量：256Mb
接口类型：SPI
工作电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：48
最大读取频率：80MHz
写入频率：与读取频率相同
数据保持时间：超过20年
写入耐久性：10^16次写入周期
EMVE250GDA102MLH0S 的核心优势在于其基于MRAM技术所带来的高性能和高可靠性。相较于传统的EEPROM或Flash存储器，它具有更快的写入速度，支持无限次写入操作，并且在断电情况下依然能够保持数据不丢失。
此外，该芯片的SPI接口使其能够轻松集成到现有的嵌入式系统中，支持与各种微控制器或处理器进行通信。EMVE250GDA102MLH0S 还具备出色的抗辐射能力，适用于恶劣环境下的工业和航空航天应用。
该芯片的低功耗特性使其非常适合电池供电设备和对能效有严格要求的应用场景。同时，它的工作温度范围宽广，能够在-40°C至+85°C的环境下稳定运行，确保了在各种环境条件下的可靠性。
EMVE250GDA102MLH0S 主要应用于需要快速、可靠和非易失性存储解决方案的场景。包括工业自动化控制系统中的配置和状态数据存储、通信设备中的日志记录、医疗设备中的患者数据保存、智能电表和能源管理系统中的计费数据存储等。
此外，它还广泛应用于航空航天、军事和汽车电子领域，用于关键数据的快速存储和持久保存。由于其高速SPI接口和低功耗特性，该芯片也适用于物联网（IoT）设备、边缘计算设备和可穿戴电子产品。
MR25H256 - 由Everspin推出的替代型号，同样为256Mb SPI接口MRAM，具有类似性能参数，适用于兼容设计。
