时间：2025/7/22 22:00:41
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CHN063EC 是一款由国产厂商设计和生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、DC-DC转换、负载开关和功率控制等应用。该器件采用N沟道结构，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于中高功率的电子系统。CHN063EC 封装形式通常为TO-252或TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：10A（常温下）
导通电阻(Rds(on))：≤63mΩ @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±20V
最大功耗(Pd)：60W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）或TO-220
CHN063EC 具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其60V的漏源电压耐受能力使其适用于多种电源转换和控制场景。此外，该器件具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力，能够在较高温度环境下稳定工作。
在封装方面，TO-252或TO-220封装形式提供了良好的散热性能，适用于需要良好热管理的应用场景。CHN063EC 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电压，与多数MOSFET驱动IC兼容。
该MOSFET具有较快的开关速度，适合用于高频开关电路，如同步整流、DC-DC变换器和电机驱动等。其高可靠性和良好的短时过载能力也使其广泛应用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中。
CHN063EC 广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：电源适配器、DC-DC转换器、同步整流模块、电机驱动电路、LED照明驱动、电池管理系统以及工业自动化控制设备。其低导通电阻和高效率的特性使其成为替代传统双极型晶体管（BJT）的理想选择，尤其适用于对效率和散热有较高要求的设计场景。
Si2302DS, IRFZ44N, AO3402, FDS6680, CHN060N
