时间：2025/8/16 8:56:16
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DBS400B28是一种双路N沟道功率MOSFET器件，常用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的场合。DBS400B28通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。
类型：双路N沟道MOSFET
最大漏极电流：40A
最大漏极-源极电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ
栅极电压范围：-20V至+20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
DBS400B28具有多项优良特性，包括低导通电阻（Rds(on)）仅为28mΩ，这使得器件在导通状态下损耗更低，效率更高。该器件采用双路MOSFET结构，能够提供更高的电流容量和更好的热管理性能，适用于高功率密度设计。其先进的沟槽技术不仅提高了开关速度，还减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。
该MOSFET的高栅极电压容限（±20V）确保了在各种工作条件下都能安全可靠地运行，防止栅极击穿。此外，DBS400B28具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，延长了器件的使用寿命并提高了系统可靠性。
封装方面，DBS400B28采用TO-263（D2PAK）封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，简化了PCB布局并提高了组装效率。这种封装形式也增强了机械强度和耐久性，适用于各种工业和汽车电子应用。
DBS400B28广泛应用于多种高功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统等。其高效率和高可靠性的特点使其成为汽车电子、工业自动化、通信电源和消费类电子产品中不可或缺的元件。
Si4410BDY, FDS4410A, IRF7413, AO4406A
