时间:2025/11/12 19:34:47
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C0805KKX5R5BB106是一款由三星电机(Samsung Electro-Mechanics)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),采用标准的0805(2012公制)封装尺寸。该电容器属于X5R介电材料类别,具有稳定的电性能和较高的电容密度,适用于广泛的工业、消费类电子和通信设备中的去耦、滤波和旁路应用。其标称电容值为10μF(106表示10×10^6 pF),额定电压为16V DC,能够在-55°C至+85°C的工作温度范围内保持±15%的电容偏差,符合X5R的温度特性标准。该器件采用镍阻挡层端接结构(Ni-barrier termination),具备良好的可焊性和耐热冲击能力,适合回流焊接工艺。由于其高可靠性、小尺寸和高电容值,C0805KKX5R5BB106被广泛应用于便携式电子产品、电源管理模块、FPGA、ASIC和DC-DC转换器等对空间和稳定性要求较高的场合。
型号:C0805KKX5R5BB106
制造商:Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸:0805(2.0mm × 1.25mm)
电容值:10μF(106)
容差:±20%
额定电压:16V DC
介电材料:X5R
工作温度范围:-55°C 至 +85°C
温度特性:±15% 电容变化(在温度范围内)
端接类型:Ni-barrier(镍阻挡层)
安装方式:表面贴装(SMD)
产品系列:Ceramic Capacitor (MLCC)
无铅状态:符合RoHS标准,无铅且无卤素
C0805KKX5R5BB106采用X5R型介电陶瓷材料,这种材料在较宽的温度范围内表现出优异的电容稳定性,能够在-55°C到+85°C之间维持电容值的变化不超过±15%,这对于需要在不同环境条件下保持电路性能一致性的应用场景至关重要。相较于Y5V等介电类型,X5R在温度稳定性和电容密度之间实现了良好的平衡,使其成为中高电容值需求下的理想选择。该电容器的标称电容高达10μF,在0805这一小型封装内实现如此高的电容值,体现了现代MLCC制造工艺的进步,尤其是介质层薄化和堆叠层数增加的技术成果。这使得设计人员可以在不牺牲PCB面积的前提下满足电源去耦或信号滤波所需的较大电容量。
该器件采用镍阻挡层端接技术(Ni-barrier termination),相比传统的铜内电极直接暴露结构,能够有效防止银离子迁移和铜氧化问题,显著提升长期可靠性和耐湿性。此外,该端接结构还增强了焊接过程中的热循环耐受能力,减少因回流焊引起的裂纹风险。C0805KKX5R5BB106符合RoHS指令要求,不含铅和卤素,适用于环保型电子产品制造。其表面贴装形式便于自动化贴片生产,提高了组装效率和一致性。由于其低等效串联电阻(ESR)和良好的高频响应特性,该电容器特别适合用于开关电源输出端的滤波、IC电源引脚的去耦以及模拟前端的噪声抑制。尽管其电压系数相对明显——即施加直流偏压时电容值会下降,但在16V额定电压下使用于3.3V或5V系统时仍能保持较高有效电容,因此在实际应用中需结合偏压特性曲线进行评估以确保性能达标。
C0805KKX5R5BB106广泛应用于各类需要中等高电容值与良好温度稳定性的电子电路中。常见用途包括数字集成电路(如微处理器、FPGA、ASIC)的电源去耦,用于平滑瞬态电流波动并降低电源噪声。在DC-DC转换器和LDO稳压器的输入输出滤波网络中,该电容器可有效抑制纹波电压,提高电源质量。此外,它也常用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理单元(PMU)模块,凭借其小尺寸优势帮助缩小整体产品体积。在工业控制设备、网络通信模块(如路由器、交换机)以及汽车电子中的非动力系统(如信息娱乐系统)中,该器件因其可靠性和稳定性而受到青睐。由于其符合无铅回流焊工艺要求,适用于现代高速SMT生产线,适合大批量自动化生产环境。同时,在便携式医疗设备、传感器接口电路和电池供电系统中,该电容器也能提供稳定的电性能支持,保障系统长时间运行的可靠性。
GRM21BR71C106KE01D
CL21A106KAQNNNE
C1005X5R1C106K