时间：2025/3/31 17:15:34
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DBMMV17H2PN-A101 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源管理场景，包括 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。其封装形式紧凑，有助于简化电路板布局并提高系统可靠性。
型号：DBMMV17H2PN-A101
类型：N沟道功率MOSFET
额定电压：60V
额定电流：53A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：48nC（典型值）
连续漏极电流：53A（@Tc=25℃）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 紧凑型封装设计，节省 PCB 空间。
5. 宽工作温度范围，适应极端环境需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片通过优化的内部结构和先进的材料技术，能够在高功率密度条件下稳定运行，是工业级和消费级电子产品的理想选择。
1. 开关电源 (SMPS)，如适配器、充电器和工业电源。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 电信设备中的负载开关和保护电路。
4. 汽车电子中的电池管理系统和 DC-DC 转换器。
5. 高效 DC-DC 转换模块，支持同步整流功能。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
其出色的性能和可靠性使其成为众多功率转换和控制应用的核心元件。
DBMMV17H2PN-A102, IRF7843, FDP5500NL
