时间：2025/5/28 12:28:20
阅读：20
SQCB7M820FAT1A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的功率 MOSFET 芯片，采用 N 沟道增强型技术。该芯片专为高效率、高性能的开关应用设计，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，广泛应用于工业电源管理、电机驱动、逆变器以及 DC-DC 转换等场景。
这款器件采用先进的封装工艺，确保了其在高温环境下的稳定性和可靠性，同时具备良好的热性能表现。
型号：SQCB7M820FAT1A
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：820V
Rds(on)（导通电阻）：5.3Ω（典型值，25°C）
Id（持续漏极电流）：7.6A（Tc=25°C）
Qg（栅极电荷）：48nC（典型值）
EAS（雪崩能量）：95mJ
封装形式：TO-247-3L
工作温度范围：-55°C 至 150°C
SQCB7M820FAT1A 具有以下显著特性：
1. 极高的耐压能力，最高可达 820V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻（Rds(on)），减少了功率损耗，提升了系统效率。
3. 快速开关特性，降低了开关损耗，并支持高频操作。
4. 强大的雪崩能力，能够承受异常情况下的过流或过压冲击。
5. 高温稳定性，在极端条件下仍能保持优异性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 提供 TO-247-3L 封装，便于散热处理并适合多种电路布局需求。
SQCB7M820FAT1A 主要应用于以下领域：
1. 工业级开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路，如步进电机、伺服电机等的控制。
3. 逆变器模块，包括太阳能逆变器和其他高效能源转换设备。
4. 各类 DC-DC 转换器，特别是在需要高输入电压的应用中。
5. PFC（功率因数校正）电路中的关键元件。
6. 保护电路，例如电子负载保护或短路保护电路。
7. 开关式电磁阀驱动及大功率 LED 照明驱动。
FQA8N80C, IRF840
