时间：2025/6/25 21:36:26
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LMBZ5235BLT1G 是一款来自 ON Semiconductor 的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，主要用于保护电子设备免受静电放电 (ESD)、浪涌和其它过压瞬态的危害。该器件具有低电容特性，适合高速数据线和信号线路的保护应用。
该 TVS 二极管采用 SOD-323 封装形式，适用于表面贴装技术 (SMT)，能够提供高响应速度和稳健的钳位能力。
工作电压：5.8V
峰值脉冲功率：400W（典型值）
反向 standoff 电压：5V
最大反向漏电流：1μA（在 5V 下）
击穿电压：5.8V
箝位电压：8.4V（典型值，对于 8/20μs 波形）
结电容：7pF（最大值）
响应时间：1ps（典型值）
封装：SOD-323
LMBZ5235BLT1G 具有以下显著特性：
1. 高效的瞬态电压抑制能力，可有效防止 ESD 和浪涌损害。
2. 超低电容设计使其非常适合高速数据线和信号线的保护应用。
3. 快速响应时间，确保瞬态事件能被迅速抑制。
4. 符合 AEC-Q101 标准，具备良好的可靠性，适用于汽车级应用。
5. 支持表面贴装工艺，易于集成到现代化电路板中。
6. 工作温度范围宽广（-55°C 至 +150°C），适应各种环境条件。
LMBZ5235BLT1G 广泛应用于以下领域：
1. 高速数据接口保护，例如 USB、HDMI、以太网等。
2. 汽车电子系统中的信号线路保护。
3. 移动设备中的射频 (RF) 线路保护。
4. 工业自动化设备中的通信端口保护。
5. 医疗设备和其他对信号完整性要求较高的应用。
6. 一般消费类电子产品中的 ESD 和浪涌防护。
PMEG5235BETA, SM7G5.0AATM, SMBJ5.0CA
