CRRF20L150A是一种高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压应用设计。该器件采用N沟道增强型技术,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效能、高可靠性的电路中。其封装形式通常为TO-247或类似的表面贴装封装,能够提供出色的散热性能。
最大漏源电压:1500V
连续漏极电流:20A
导通电阻:0.9Ω
栅极电荷:35nC
总电容:350pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
CRRF20L150A具有高耐压能力,非常适合用于高压场景,如工业电源、电机驱动和太阳能逆变器等。该器件通过优化的芯片设计实现了低导通电阻,从而减少了传导损耗并提高了整体效率。此外,它还具备快速开关能力,有助于降低开关损耗。同时,其高温工作能力确保了在严苛环境下的可靠性。
另外,该器件内置了多种保护机制,包括过流保护和热关断功能,进一步增强了系统的安全性。由于采用了先进的制造工艺,CRRF20L150A能够在高频条件下保持稳定的性能表现。
CRRF20L150A广泛应用于高压开关电源、DC-DC转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器以及可再生能源系统等领域。它的高耐压特性和低导通电阻使其成为这些应用的理想选择。此外,在需要快速开关和高效能表现的场合,例如电动汽车充电设备和工业自动化控制中,CRRF20L150A也表现出色。
CRRF25L150A
CRRF20L1200A
IRFP260N