DBI15-16 时间：2025/8/23 0:04:17 阅读：25

DBI15-16 是一款由 Diodes Incorporated 推出的低电压、低导通电阻（Low RDS(on)）的双N沟道增强型MOSFET芯片，广泛应用于需要高效功率管理的便携式电子设备和电源管理系统中。这款芯片采用了先进的Trench MOSFET技术，以实现更低的导通损耗和更高的效率。DBI15-16 主要设计用于在1.8V至12V的宽电压范围内工作，非常适合用于电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、电源分配系统以及其他需要高性能MOSFET的应用。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.2A（@VGS=4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：<23mΩ（@VGS=4.5V），<30mΩ（@VGS=2.5V）
　　功率耗散：2.0W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN2020-6L

特性

DBI15-16 具备优异的导通特性和快速开关性能，能够有效降低系统功耗并提高效率。该器件的低RDS(on)特性使其在低电压应用中表现尤为出色，例如在1.8V逻辑控制的电源系统中。此外，DBI15-16 采用了先进的Trench工艺技术，实现了更小的晶圆尺寸和更高的集成度，从而在有限的空间内提供更高的性能。其DFN2020-6L封装形式具有较低的热阻，有助于提高散热效率，确保在高电流应用中的稳定性和可靠性。
　　该器件还具有良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高温环境下正常工作，延长设备的使用寿命。DBI15-16 的栅极驱动电压范围较宽（1.8V至12V），适用于多种电源管理场景，包括低压负载开关和DC-DC转换器设计。
　　由于其双N沟道结构，DBI15-16 可以在多个并联配置中使用，以满足更高电流需求的设计要求。同时，该器件的开关损耗较低，有助于减少系统发热并提高整体能效。

应用

DBI15-16 主要应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他电池供电设备中的电源管理系统。它也被广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及工业自动化控制系统中的功率管理模块。此外，DBI15-16 还适用于需要高效能MOSFET的汽车电子系统，例如车载充电器、车身控制模块和车载信息娱乐系统等。