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DB2S31400L 发布时间 时间:2025/6/12 18:49:17 查看 阅读:10

DB2S31400L 是一款高性能的双通道功率 MOSFET 驱动器,专为需要高效率和快速开关的应用而设计。该驱动器采用先进的 CMOS 工艺制造,具有低功耗、高驱动能力和出色的抗干扰能力。
  其主要功能是驱动 N 沫道或 P 沫道 MOSFET 的栅极,能够显著提高开关速度并降低功耗。适用于各种工业控制、电源管理和电机驱动等场景。

参数

输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出源电流:1.4A(峰值)
  输出灌电流:1.6A(峰值)
  传播延迟:70ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 125°C
  封装形式:SOIC-8
  静态电流:小于 1mA

特性

DB2S31400L 具有以下显著特性:
  1. 双通道独立驱动,支持同时控制两个功率 MOSFET。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 内置防击穿保护电路,增强可靠性。
  4. 提供欠压锁定保护
  5. 小型封装,节省 PCB 空间。
  6. 支持宽电压输入范围,适应性强。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

DB2S31400L 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和逆变器。
  3. LED 驱动器和背光控制。
  4. 电池管理系统(BMS)。
  5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
  7. 通信设备中的高效功率转换方案。

替代型号

DB2S31401L, DB2S31402L

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DB2S31400L参数

  • 数据列表DB2S314 View All Specifications
  • 产品培训模块Junction Barrier Schottky Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)30V
  • 电流 - 平均整流 (Io)30mA(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 30mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)1ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电300nA @ 30V
  • 电容@ Vr, F1.5pF @ 10V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商设备封装SSMini2-F5-B
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称DB2S31400LDKR