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RS0104XUTQH12-Q1 发布时间 时间:2025/6/22 5:54:29 查看 阅读:25

RS0104XUTQH12-Q1 是一款由 Rohm 公司生产的车规级低导通电阻 N 沟道 MOSFET,采用 USP-6B 封装。该产品专为汽车电子应用设计,具有出色的耐用性和可靠性。其高耐压和低导通电阻的特性使其适用于各种车载电源管理系统、电机驱动以及负载开关等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:38A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极阈值电压:1.5V~3.0V
  工作结温范围:-40℃~175℃
  封装形式:USP-6B
  功耗:2.8W

特性

RS0104XUTQH12-Q1 的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻(1.2mΩ),有助于减少功率损耗并提升效率。
  2. 符合 AEC-Q101 标准,确保在极端环境下的稳定性和可靠性。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的保护性能。
  4. 支持高达 175℃ 的工作温度,适合高温环境的应用。
  5. 提供快速开关速度,降低开关损耗。
  6. 紧凑型 USP-6B 封装,节省 PCB 布局空间。

应用

RS0104XUTQH12-Q1 广泛应用于汽车电子领域,例如:
  1. 车载 DC-DC 转换器中的同步整流电路。
  2. 电动车窗、雨刷、座椅调节等电机驱动系统。
  3. 车载充电机和逆变器中的功率开关。
  4. 各类负载开关及保护电路。
  5. LED 驱动器和其他照明控制模块。
  6. 高效电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。

替代型号

RS0104XUTQH12-Q1 的替代型号包括 RMH120U12ZTQ 和 RSP0104ZNTQH12G,具体选择应根据实际应用需求确认。

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