时间：2025/9/2 7:53:00
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H9TP33A6ADMCMR-KYM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的移动式DRAM（LPDDR4）芯片。该型号属于第四代低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器（LPDDR4）技术，专为移动设备如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品设计。该芯片具有高存储密度、高速数据传输能力和优化的功耗管理，适用于对性能和能效都有较高要求的应用场景。
类型：LPDDR4 SDRAM
容量：3GB（24bit x 16M x 16banks）
电压：1.1V（核心电压VDD） / 1.8V（I/O电压VDDQ）
数据速率：3200Mbps（LPDDR4-3200）
封装类型：FBGA
封装尺寸：138-ball
工作温度：-40°C 至 +85°C
接口标准：LPDDR4 接口
H9TP33A6ADMCMR-KYM 采用了先进的LPDDR4技术，具备出色的性能和能效表现。其主要特性包括：
1. 高速数据传输：支持高达3200Mbps的数据速率，能够满足高端移动设备对快速内存访问的需求。
2. 低功耗设计：相比前代LPDDR3，LPDDR4在电压上进行了优化，核心电压为1.1V，I/O电压为1.8V，显著降低了功耗，有助于延长设备的电池寿命。
3. 高集成度：该芯片在一个封装内集成了3GB的存储容量，适用于需要大内存但空间受限的移动设备。
4. 先进的封装技术：采用138-ball FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，提供了良好的电气性能和热管理能力，适用于高密度PCB布局。
5. 温度适应性强：支持-40°C至+85°C的工作温度范围，适用于各种复杂的使用环境。
6. 多银行架构：采用16个内部存储体（banks）设计，支持高效的并发操作，提升内存访问效率。
7. 支持多种刷新模式：包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh），确保数据稳定性和低功耗待机。
H9TP33A6ADMCMR-KYM 主要用于高性能移动设备，如旗舰级智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统以及需要低功耗与高内存带宽的嵌入式系统。由于其高数据速率和低功耗特性，该芯片也适用于需要快速图形处理和多任务处理的场景，例如高清视频播放、3D游戏、多任务后台运行以及AI推理等应用。
H9TP32A4GDMCPR-ACR, H9TQ17A2GCMCPR-ACR
