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H9TP33A6ADMCMR-KYM 发布时间 时间:2025/9/2 7:53:00 查看 阅读:13

H9TP33A6ADMCMR-KYM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能、低功耗的移动式DRAM(LPDDR4)芯片。该型号属于第四代低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR4)技术,专为移动设备如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品设计。该芯片具有高存储密度、高速数据传输能力和优化的功耗管理,适用于对性能和能效都有较高要求的应用场景。

参数

类型:LPDDR4 SDRAM
  容量:3GB(24bit x 16M x 16banks)
  电压:1.1V(核心电压VDD) / 1.8V(I/O电压VDDQ)
  数据速率:3200Mbps(LPDDR4-3200)
  封装类型:FBGA
  封装尺寸:138-ball
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  接口标准:LPDDR4 接口

特性

H9TP33A6ADMCMR-KYM 采用了先进的LPDDR4技术,具备出色的性能和能效表现。其主要特性包括:
  1. 高速数据传输:支持高达3200Mbps的数据速率,能够满足高端移动设备对快速内存访问的需求。
  2. 低功耗设计:相比前代LPDDR3,LPDDR4在电压上进行了优化,核心电压为1.1V,I/O电压为1.8V,显著降低了功耗,有助于延长设备的电池寿命。
  3. 高集成度:该芯片在一个封装内集成了3GB的存储容量,适用于需要大内存但空间受限的移动设备。
  4. 先进的封装技术:采用138-ball FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,提供了良好的电气性能和热管理能力,适用于高密度PCB布局。
  5. 温度适应性强:支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适用于各种复杂的使用环境。
  6. 多银行架构:采用16个内部存储体(banks)设计,支持高效的并发操作,提升内存访问效率。
  7. 支持多种刷新模式:包括自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh),确保数据稳定性和低功耗待机。

应用

H9TP33A6ADMCMR-KYM 主要用于高性能移动设备,如旗舰级智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统以及需要低功耗与高内存带宽的嵌入式系统。由于其高数据速率和低功耗特性,该芯片也适用于需要快速图形处理和多任务处理的场景,例如高清视频播放、3D游戏、多任务后台运行以及AI推理等应用。

替代型号

H9TP32A4GDMCPR-ACR, H9TQ17A2GCMCPR-ACR

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