型号：DAP202U T106
　　通道类型：双P沟道
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-1.9A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-4.8A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：280pF
　　输出电容(Coss)：120pF
　　反向传输电容(Crss)：40pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23 (SC-70)

DAP202U T106采用先进的TrenchFET技术，具备优异的电气性能和热稳定性，能够在紧凑的空间内提供高效的功率控制能力。其核心优势之一是低导通电阻（RDS(on)），在VGS = -4.5V时典型值仅为45mΩ，在VGS = -2.5V时为55mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为它可以直接延长续航时间。同时，低RDS(on)也意味着在相同电流下产生的热量更少，从而减少了散热需求，有利于实现更轻薄的设计。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），典型值分别为1.5nC和280pF，这使得它可以用微控制器或其他低驱动能力的逻辑信号直接驱动，无需额外的缓冲级或专用驱动器IC。这一特性大大简化了电路设计，降低了系统成本和复杂度。此外，快速的开关速度使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器中的同步整流或负载开关控制。
　　DAP202U T106的阈值电压（Vth）范围为-0.6V至-1.0V，属于标准逻辑电平兼容范围，确保在3.3V甚至更低的逻辑电压下也能可靠开启。其最大漏源电压为-20V，适合用于12V及以下的低压系统，常见于便携式设备的电源轨管理。每个通道可承载连续漏极电流达-1.9A，脉冲电流可达-4.8A，具备较强的负载驱动能力。
　　器件采用SOT-23（SC-70）封装，尺寸仅为2mm × 1.25mm × 1.1mm，极大节省PCB空间，适用于高密度布局的移动设备。该封装具有良好的热传导性能，结合合理的PCB布线可有效散热。DAP202U T106的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件下的工业与消费类应用。所有参数均经过严格测试，并符合RoHS环保要求，适合无铅回流焊工艺。

DAP202U T106广泛应用于需要双路P沟道MOSFET控制的低电压、小电流电源管理系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电源开关和负载管理，例如智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中用于控制不同功能模块的上电时序或电源隔离。由于其低导通电阻和快速响应特性，常被用作高边开关（High-side Switch），实现对电源路径的有效控制，防止反向电流流动，保护主电源不受负载异常影响。
　　在电池供电系统中，DAP202U T106可用于电池充放电管理电路，配合充电IC实现充电路径与放电路径的独立控制。它也可作为理想二极管替代方案，用于多电源选择电路（如USB供电与电池供电之间的自动切换），提升转换效率并降低压降损耗。此外，在DC-DC转换器中，它可以作为同步整流器的一部分，特别是在非隔离式Buck电路中用于上管开关，虽然通常Buck上管使用N沟道MOSFET以获得更低RDS(on)，但在某些特定低压逻辑控制架构中，P沟道方案更具设计便利性。
　　该器件还适用于各类信号切换电路、LED背光驱动控制、传感器电源使能控制以及嵌入式系统的待机模式电源管理。在工业自动化和物联网节点中，DAP202U T106可用于远程唤醒电路或低功耗休眠模式下的外设断电控制，帮助系统进入深度节能状态。其小尺寸封装特别适合空间受限的模块化设计，如Wi-Fi模组、蓝牙模组、GNSS接收器等。总之，凡是需要高效、小型化、低功耗双路P沟道开关的地方，DAP202U T106都是一个理想的选择。

DMG2302UK-7
　　Si2302DS
　　AO3401A
　　FDC6320L
　　RTQ2020-1GB