封装/外壳：0805（2012公制）
　　电容：1.0μF
　　容差：±20%
　　电压：16V DC
　　介质材料：X5R
　　温度特性：±15% @ -55°C 至 +85°C
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　厚度（最大）：约1.25mm
　　长度：2.0mm ±0.2mm
　　宽度：1.25mm ±0.2mm
　　端接类型：镍阻挡层 / 锡覆盖（Ni/Sn）
　　老化率：典型值<2.5%/decade
　　直流偏压特性：随电压增加电容值下降明显，需注意实际工作条件下的有效电容

X5R介质材料是II类陶瓷电容器中最常用的类型之一，具备良好的电容稳定性与温度适应能力。在-55°C至+85°C的工作温度范围内，其电容变化率可控制在±15%以内，相较于Z5U或Y5V等介质更为稳定，因此适用于对电容稳定性有一定要求但又需要较高容量密度的应用场景。X5R MLCC的一个显著特点是其非线性电压依赖性——随着施加的直流偏置电压升高，有效电容会显著下降。例如，对于标称为1.0μF的0805B105M160CT，在接近16V的工作电压下，实际可用电容可能仅剩40%-60%，这在电源去耦设计中必须予以充分考虑。因此，在选择此类电容器时，不能仅依据标称值进行选型，还需结合具体电路中的工作电压、纹波电流、温度环境等因素综合评估。该器件采用多层结构，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，从而实现小体积下的大容量存储能力。其机械强度较高，抗热冲击性能良好，但在极端温度循环或PCB弯曲应力较大的情况下仍可能出现微裂纹，进而引发短路或漏电流增大的风险。为了提高可靠性，建议在PCB布局时避免将此类元件放置在应力集中区域，并采用适当的焊盘设计以减少热膨胀不匹配带来的影响。
　　此外，0805B105M160CT具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现出优异的噪声抑制能力。尤其是在数字IC的电源引脚附近用作旁路电容时，能够有效滤除高频开关噪声，提升系统稳定性。然而，由于其介电材料的铁电性质，X5R电容也存在一定的老化现象，即电容值会随着时间推移缓慢减小（通常以每十年下降一定百分比的方式描述），但这一过程在正常使用周期内影响较小。总体而言，这款电容器在成本、尺寸、容量和稳定性之间实现了良好平衡，是目前市场上最主流的MLCC型号之一，广泛用于DC-DC转换器输入输出滤波、模拟电路旁路、信号耦合等场合。

该电容器常用于各类电子设备中的电源管理电路，如便携式消费电子产品（智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的DC-DC转换器输入输出滤波，用于平滑电压波动并降低纹波噪声。在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的电源引脚处作为去耦电容使用，能够快速响应瞬态电流需求，防止因电源扰动引起的逻辑错误或系统复位。此外，它也被广泛应用于工业控制系统、汽车电子模块（非动力域）、通信基站板卡以及医疗电子设备中，承担电源稳定和噪声滤除的功能。在射频和无线模块中，可用于低频段的耦合与旁路，尽管其频率响应受限于封装尺寸和寄生参数，但在数百MHz以下仍能发挥良好作用。由于其符合RoHS标准且具备良好的焊接兼容性，适合无铅回流焊工艺，因此在现代自动化SMT生产线中广泛应用。同时，得益于其小型化封装和较高的单位体积电容密度，特别适合空间受限的高密度PCB设计。在多层板布局中，通常将其布置在电源层附近或通过短路径连接到芯片电源引脚，以最小化环路电感，提升高频去耦效果。另外，在音频放大器、传感器接口电路中也可作为耦合电容使用，但由于X5R材料存在轻微的电压非线性和微音效应，对于极高保真度要求的应用场景，可能需要选用C0G/NP0等更稳定的介质类型替代。

[
　　 "C3216X5R1C105K",
　　 "GRM21BR71C105KA88L",
　　 "CL21B105KOANNNC",
　　 "TC3216X5R1C105K",
　　 "ECJ-1VC1H105Z"
　　]