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HY5V62DLFP-6 发布时间 时间:2025/9/1 15:11:37 查看 阅读:6

HY5V62DLFP-6 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,其容量为8兆位(Mbit),组织方式为512K x16。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高速访问和稳定性强等特点,适用于需要高性能存储器的工业控制、网络设备、通信系统以及嵌入式系统等领域。

参数

容量:8Mbit
  组织方式:512K x16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns(最大)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54引脚 TSOP
  读取电流(最大):300mA
  待机电流(最大):10mA

特性

HY5V62DLFP-6 是一款高性能异步SRAM,专为需要高速数据访问和稳定性的应用设计。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有出色的功耗管理能力,在运行和待机模式下均表现出较低的电流消耗,适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。
  该芯片的访问时间低至5.4ns,能够支持高速数据读写操作,满足现代嵌入式系统对实时性和响应速度的需求。其工作电压范围为2.3V至3.6V,具备良好的电压适应性,能够在不同电源环境下稳定运行。
  此外,HY5V62DLFP-6 采用54引脚TSOP封装形式,具有较高的封装密度和较小的占用空间,适用于高密度PCB设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,可在各种恶劣环境中稳定工作,广泛应用于工业控制、通信设备、网络路由器和智能终端等领域。
  该SRAM芯片无需刷新操作,数据在供电状态下保持不变,具有使用简便、读写控制灵活等优点。其输入/输出引脚兼容TTL电平,方便与多种主控芯片进行连接和通信。HY5V62DLFP-6 还具备较强的抗干扰能力和可靠性,适用于对系统稳定性要求较高的应用环境。

应用

HY5V62DLFP-6 主要用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统,例如工业控制设备、通信基站、网络交换设备、路由器、打印机、智能显示终端以及汽车电子系统。其高速访问特性使其成为需要实时数据处理的应用中的理想选择,如图像缓冲、数据队列存储和程序运行缓存等场景。此外,由于其宽温工作范围和稳定性能,也适用于户外设备和工业自动化系统中的关键存储需求。

替代型号

CY62148EALL-55PZC, IS61LV25616ALB4-6T, IDT71V416SA16YBGI

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