您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF7380TRPBF

IRF7380TRPBF 发布时间 时间:2025/5/24 9:59:42 查看 阅读:21

IRF7380TRPBF是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了TrenchFET? Gen II技术,具有较低的导通电阻和极佳的开关性能。其优化设计使其非常适合于高频开关应用和功率转换电路。IRF7380TRPBF封装形式为TO-263-3(D2PAK),具备较高的电流承载能力和良好的散热性能。
  这款MOSFET通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电源管理模块以及通信系统中的功率级电路等场景。

参数

型号:IRF7380TRPBF
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源电压):40V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):1.5mΩ
  Id(持续漏极电流):97A
  Qg(总栅极电荷):46nC
  EAS(雪崩能量):1.5J
  Vgs(栅源电压):±20V
  fT(特征频率):3.6MHz
  封装:TO-263-3(D2PAK)

特性

IRF7380TRPBF的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),仅为1.5mΩ(在Vgs=10V时),这可以显著降低导通损耗并提高效率。
  2. 总栅极电荷Qg较小(46nC),使得开关速度更快且驱动功耗更低。
  3. 高额定电流(97A)和高电压耐受能力(40V),确保了其能够在各种复杂的功率环境中稳定运行。
  4. 使用TrenchFET? Gen II技术,进一步提升了器件的性能和可靠性。
  5. TO-263-3封装提供出色的散热性能,并兼容表面贴装工艺,方便自动化生产。
  6. 具备良好的短路保护能力,能够承受至少1μs的短路时间。

应用

IRF7380TRPBF适用于以下领域:
  1. DC-DC转换器中的功率级开关。
  2. 负载开关和保护电路。
  3. 电机驱动和逆变器控制。
  4. 通信电源系统的功率管理。
  5. 电池管理系统中的充放电控制。
  6. 计算机及外设中的电源分配网络。
  7. 工业设备中的高效功率转换电路。
  由于其卓越的电气性能和可靠的工作表现,IRF7380TRPBF成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

IRF7380TRPBF, IRF7380, IRFH7380TRPBF

IRF7380TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF7380TRPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF7380TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C73 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds660pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7380TRPBF-NDIRF7380TRPBFTR