IRF7380TRPBF是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了TrenchFET? Gen II技术,具有较低的导通电阻和极佳的开关性能。其优化设计使其非常适合于高频开关应用和功率转换电路。IRF7380TRPBF封装形式为TO-263-3(D2PAK),具备较高的电流承载能力和良好的散热性能。
这款MOSFET通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电源管理模块以及通信系统中的功率级电路等场景。
型号:IRF7380TRPBF
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源电压):40V
Rds(on)(导通电阻,典型值):1.5mΩ
Id(持续漏极电流):97A
Qg(总栅极电荷):46nC
EAS(雪崩能量):1.5J
Vgs(栅源电压):±20V
fT(特征频率):3.6MHz
封装:TO-263-3(D2PAK)
IRF7380TRPBF的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻Rds(on),仅为1.5mΩ(在Vgs=10V时),这可以显著降低导通损耗并提高效率。
2. 总栅极电荷Qg较小(46nC),使得开关速度更快且驱动功耗更低。
3. 高额定电流(97A)和高电压耐受能力(40V),确保了其能够在各种复杂的功率环境中稳定运行。
4. 使用TrenchFET? Gen II技术,进一步提升了器件的性能和可靠性。
5. TO-263-3封装提供出色的散热性能,并兼容表面贴装工艺,方便自动化生产。
6. 具备良好的短路保护能力,能够承受至少1μs的短路时间。
IRF7380TRPBF适用于以下领域:
1. DC-DC转换器中的功率级开关。
2. 负载开关和保护电路。
3. 电机驱动和逆变器控制。
4. 通信电源系统的功率管理。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 计算机及外设中的电源分配网络。
7. 工业设备中的高效功率转换电路。
由于其卓越的电气性能和可靠的工作表现,IRF7380TRPBF成为许多高要求应用的理想选择。
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