DAN212K 时间：2025/12/25 10:37:53 阅读：14

DAN212K是一款由东芝（Toshiba）生产的表面贴装小信号肖特基势垒二极管，采用SOD-323封装。该器件专为高频、低电压和低电流应用设计，广泛用于便携式电子设备中的信号整流、ESD保护、反向电池极性保护以及高速开关电路中。DAN212K由两个独立的肖特基二极管构成，采用共阴极配置，使其特别适用于双通道信号检测或双路整流应用。由于其低正向导通电压（VF通常在0.3V至0.45V之间，测试条件IF=1mA），DAN212K在能量效率要求较高的电路中表现优异，能够有效减少功耗并提升系统整体能效。此外，该器件具有快速反向恢复时间（trr < 1ns），确保其在高频开关应用中具备出色的动态响应能力。DAN212K的工作温度范围通常为-55°C至+150°C，适合在严苛环境条件下稳定运行。其小型化SOD-323封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，因此被广泛应用于智能手机、平板电脑、无线模块、电源管理单元及各类消费类电子产品中。

参数

类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　封装：SOD-323
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：0.45V（在IF=10mA时）
　　反向漏电流（IR）：100μA（在VR=30V时）
　　反向恢复时间（trr）：<1ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约450°C/W

特性

DAN212K的核心优势在于其采用肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降与超快的开关速度。这种结构基于金属-半导体结而非传统的PN结，显著降低了载流子存储效应，从而大幅缩短了反向恢复时间，使其在高频信号处理中表现出色。在实际应用中，例如在射频检波电路或高速数据线路保护中，DAN212K能够迅速响应电压变化，防止信号失真或延迟。其低VF特性意味着在微弱信号环境下仍可实现有效导通，这对于传感器信号调理、低电平信号整流等场景尤为重要。同时，由于功耗较低，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　该器件的双二极管共阴极设计使其非常适合用于双通道信号钳位或双向ESD保护电路中。例如，在USB接口或音频输入端口中，DAN212K可以将正负瞬态电压分别导向VCC和GND，有效抑制静电放电对后级IC的损害。此外，其小型SOD-323封装具有良好的热稳定性和机械强度，适用于回流焊工艺，并可在高密度PCB布局中节省宝贵空间。器件符合RoHS环保标准，且具备较高的可靠性，经过严格的老化测试和环境应力筛选，确保在长期运行中保持性能稳定。

应用

DAN212K广泛应用于各类消费类电子产品和通信设备中。典型应用场景包括便携式设备中的电源路径切换与反向极性保护，如智能手机、蓝牙耳机和移动电源等。在这些设备中，DAN212K可用于防止电池接反而损坏主控芯片。此外，它也常用于信号整流电路，特别是在低电压、低电流的模拟前端，例如红外接收模块或无线传感节点中进行信号解调。在数字接口保护方面，DAN212K可用于HDMI、I2C、UART等高速数据线的ESD防护，吸收瞬态高压脉冲，保障通信稳定性。另外，由于其快速响应特性，也可作为高速开关电路中的箝位二极管，限制电压尖峰，保护敏感元件。在电源管理领域，DAN212K可用于低压DC-DC转换器中的续流二极管，尽管其电流承载能力有限，但在轻负载条件下仍能提供高效节能的表现。总之，DAN212K凭借其小尺寸、高性能和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。